SEMI(邦訳)

国際半導体製造装置材料協会(国際半導体製造装置材料協会規格)

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規格番号タイトルハンドブック情報
年号巻号分野
SEMI C1-93試薬に関する仕様19931ケミカル
SEMI C1-95試薬に関する仕様19951プロセスケミカル
SEMI C1-95試薬に関する仕様19971プロセスケミカル
SEMI C1-0701試薬に関する仕様20011プロセスケミカル
SEMI C1.1-91酢酸(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.1-91酢酸(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.1-96酢酸(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.2-91アセトン(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.2-91アセトン(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.2-96アセトン(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.3-90ふっ化アンモニウム40%溶液(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.3-95ふっ化アンモニウム40%溶液(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.3-95ふっ化アンモニウム40%溶液(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.4-90アンモニア水(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.4-95アンモニア水(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.4-95アンモニア水(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.5-91酢酸n-ブチル(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.5-91酢酸n-ブチル(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.5-96酢酸n-ブチル(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.6-91ジクロロメタン(塩化メチレン)19931ケミカル
SEMI C1.6-91ジクロロメタン(塩化メチレン) (スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.6-96ジクロロメタン(塩化メチレン) (スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.7-90塩酸(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.7-95塩酸(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.7-95塩酸(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.8-90ふっ化水素酸(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.8-95ふっ化水素酸(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.8-95ふっ化水素酸(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.9-90過酸化水素(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.9-95過酸化水素(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.9-96過酸化水素(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.10-91メタノール(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.10-91メタノール(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.10-96メタノール(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.11-90メチルエチルケトン(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.11-95メチルエチルケトン(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.11-95メチルエチルケトン(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.12-93硝酸(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.12-95硝酸(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.12-96硝酸(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.13-93りん酸(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.13-9580%りん酸(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.13-9680%りん酸(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.14-90水酸化カリウム・ペレット(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.14-95水酸化カリウム(固体) (スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.14-95水酸化カリウム(固体) (スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.15-912-プロパノール(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.15-912-プロパノール(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.15-962-プロパノール(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.16-91硫酸(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.16-95硫酸(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.16-96硫酸(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.17-91テトラクロロエチレン(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.18-91トルエン(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.19-93トリクロロエチレン(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.20-91トリクロロトリフロロエタン(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.21-90キシレン(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.21-92キシレン(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.21-92キシレン(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.22-90水酸化ナトリウム・ペレット(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.22-95水酸化ナトリウム(固体) (スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.22-95水酸化ナトリウム(固体) (スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.23-93ヘキサメチルジシラザン(HMDS) (スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.23-94ヘキサメチルジシラザン(HMDS) (スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.23-94ヘキサメチルジシラザン(HMDS) (スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.24-911,1,1-トリクロロエタン 電子グレード(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.25-921-メチル-2-ピロリドン(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.25-95N-メチル-2-ピロリドン(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.25-95N-メチル-2-ピロリドン(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.26-921,1,1,トリクロロエタン,ファーネスグレード(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.26-921,1,1,トリクロロエタン,ファーネスグレード(暫定スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.26-921,1,1,トリクロロエタン,ファーネスグレード(暫定スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C1.27-93りん酸86%(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C1.27-95りん酸86%(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C1.27-9686%りん酸(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C2-90腐食剤(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C2-95腐食剤(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C2-95腐食剤(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C2-95腐食剤(スタンダード)20011プロセスケミカル
SEMI C2.1-90混合酸腐食剤(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C2.1-95混合酸腐食剤(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C2.1-95混合酸腐食剤(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C2.2-90バッファー酸化腐食剤(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C2.2-95バッファー酸化腐食剤(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C2.2-95バッファ一酸化腐食剤(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C2.3-90りん腐食剤(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C2.3-95りん腐食剤(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C2.3-95りん腐食剤(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C3-92ガスの仕様19931ケミカル
SEMI C3-95ガスの仕様19951ガス
SEMI C3-95ガスの仕様19971ガス
SEMI C3-0699ガスの仕様20011ガス
SEMI C3.1-93アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.998%(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.1-93アルゴン(Ar ),バルク液体,品質99.998%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.1-93アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.998%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.1-93アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.998%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.2-92アルシン(AsH3),シリンダー充填(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.2-92アルシン(AsH3),シリンダー充填(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.2-92アルシン(AsH3),シリンダー充填(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.2-0301アルシン(AsH3),シリンダ充填,品質99.94%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.3-88塩化水素(HCl),シリンダー充填(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.4-93水素(H2),バルク液体,品質99.9995%(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.4-93水素(H2),バルク液体,品質99.9995%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.4-93水素(H2),バルク液体,品質99.9995%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.4-93
(撤回1999)
水素(H2),バルク液体,品質99.9995%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.5-93窒素(N2),バルク液体,品質99.998%(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.5-93窒素(N2),バルク液体,品質99.998%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.5-93窒素(N2),バルク液体,品質99.998%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.5-93
(Reapproved0999)
窒素(N2),バルク液体,品質99.998%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.6-93ホスフィン(PH3),シリンダー充填,品質99.98%(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.6-95ホスフィン(PH3),シリンダー充填,品質99.98%(暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.6-95ホスフィン(PH3)シリンダー充填,品質99.98%(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.6-0701ホスフィン(PH3),シリンダ充填,99.98%(仕様)20011ガス
SEMI C3.8-86シラン(SiH4),エピタキシャルグレード シリンダー充填(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.9-86シラン(SiH4),ポリシリコン,及び二酸化シリコングレード,シリンダー充填(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.10-92シラン(SiH4),シリコン窒化物グレード シリンダー充填(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.10-95シラン(SiH4) (暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.10-95シラン(SiH4)(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.10-95
(撤回0701)
シラン(SiH4)(暫定スタンダード)20011ガス
SEMI C3.11-93四塩化シリコン(SiCl4),シリンダー充填(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.11-93四塩化シリコン(SiCl4),シリンダー充填(暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.11-93四塩化シリコン(SiCl4),シリンダー充填(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.11-93
(撤回0701)
四塩化シリコン(SiCl4),シリンダー充填(暫定スタンダード)20011ガス
SEMI C3.12-89アンモニア(NH3),シリンダー充填(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.12-94アンモニア(NH3),シリンダー充填,品質99.998%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.12-94アンモニア(NH3),シリンダー充填,品質99.998%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.12-94アンモニア(NH3),シリンダー充填,品質99.998%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.13-93亜酸化窒素(N2O),シリンダー充填,品質99.997%(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.13-93亜酸化窒素(N2O),シリンダー充填,品質99.997%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.13-93亜酸化窒素(N2O),シリンダー充填,品質99.997%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.13-1000亜酸化窒素(N2O),シリンダー充填,品質99.997%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.14-89アルゴン(Ar),シリンダー充填 キャリヤーグレード(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.14-94アルゴン(Ar),シリンダー充填,品質99.998%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.14-94アルゴン(Ar),シリンダー充填,品質99.998%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.14-94
(撤回0701)
アルゴン(Ar),シリンダー充填,品質99.998%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.15-93窒素(N2),シリンダー充填,品質99.9992%(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.15-93窒素(N2),シリンダー充填,品質99.9992%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.15-93窒素(N2),シリンダー充填,品質99.9992%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.15-93
(Reapproved0999)
窒素(N2),シリンダー充填,品質99.9992%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.16-90酸素(O2),電子グレード シリンダー充填(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.16-95酸素(O2),シリンダー充填,定量99.50%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.16-95酸素(O2),シリンダー充填,定量99.50%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.16-95
(撤回1000)
酸素(O2),シリンダ充填,定量99.50%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.17-90酸素(O2),MOSグレード シリンダー充填(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.17-90酸素(O2),MOSグレード シリンダー充填(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.18-89ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダー充填(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.18-94ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダー充填,品質97%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.18-94ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダー充填,品質97%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.18-94ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダ充填,品質97%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.19-93水素(H2),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.19-93水素(H2),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.19-93水素(H2),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.19-0200水素(H2),品質99.9995%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.20-92ヘリウム(He),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.20-92ヘリウム(He),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.20-92ヘリウム(He),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.20-92
(Reapproved0999)
ヘリウム(He),シリンダー充填,品質99.9995%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.21-90四フッ化炭素(CF4),シリンダー充填(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.21-90四フッ化炭素(CF4),シリンダー充填(暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.21-90四フッ化炭素(CF4),シリンダー充填(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.21-90
(撤回1000)
四フッ化炭素(CF4),シリンダー充填(暫定スタンダード)20011ガス
SEMI C3.22-93酸素(O2),バルク液体(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.22-93酸素(O2),バルク液体,品質99.5%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.22-93酸素(O2),バルク液体,品質99.5%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.22-1000酸素(O2),シリンダ充填,品質99.5%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.23-90酸素(O2),VLSIグレード シリンダー充填(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.23-95酸素(O2),シリンダー充填,品質99.98%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.23-95酸素(O2),シリンダー充填,品質99.98%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.23-1000酸素(O2),品質99.98%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.24-90六フッ化硫黄(SF6),シリンダー充填 (スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.24-95六フッ化硫黄(SF6),シリンダー充填,品質99.97%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.24-95六フッ化硫黄(SF6),シリンダー充填,品質99.97%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.24-0301六フッ化硫黄(SF6),シリンダ充填,品質99.97%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.26-93六フッ化タングステン(WF6),シリンダー充填,品質99.8%(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.26-94六フッ化タングステン(WF6),シリンダー充填,品質99.8%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.26-94六フッ化タングステン(WF6),シリンダー充填,品質99.8%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.26-0301六フッ化タングステン(WF6),シリンダ充填,品質99.8%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.27-88三フッ化ホウ素(BF3),シリンダー充填(スタンダード) (暫定)19931ケミカル
SEMI C3.27-94三フッ化ホウ素(BF3),シリンダー充填,品質99.0%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.27-94三フッ化ホウ素(BF3),シリンダー充填,品質99.0%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.27-94三フッ化ホウ素(BF3),シリンダ充填,品質99.0%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.28-92窒素(N2),シリンダー充填,品質99.9996%(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.28-92窒素(N2),シリンダー充填,VLSIグレード(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.28-92窒素(N2),シリンダー充填,VLSIグレード(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.28-0200窒素(N2),シリンダー充填,VLSIグレード,品質99.9996%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.29-90窒素(N2),VLSIグレード バルクガス状(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.29-90窒素(N2),VLSIグレード バルクガス状(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.29-96窒素(N2),バルクガス状,品質99.9995%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.29-96
(Reapproved0999)
窒素(N2),バルクガス状,品質99.9995%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.30-90水素(H2),VLSIグレードバルク(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.30-90水素(H2),VLSIグレードバルク(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.30-96水素(H2),バルク,99.9997%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.30-96
(Reapproved0999)
水素(H2),バルク,99.9997%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.31-89ジクロロシラン(H2SiCl2),モスグレード,シリンダー充填(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.31-94ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダー充填,品質99%(暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.31-94ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダー充填,品質99%(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.31-94ジクロロシラン(H2SiCl2),シリンダ充填,品質99%(暫定スタンダード)20011ガス
SEMI C3.32-92塩素(Cl2) (暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.32-95塩素(Cl2),品質99.996%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.32-95塩素(Cl2),品質99.996%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.32-0301塩素(Cl2),品質99.996%(仕様)20011ガス
SEMI C3.33-92三塩化ホウ素(BCl3) (暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.33-92三塩化ホウ素(BCl3) (暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.33-92三塩化ホウ素(BCl3) (暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.33-92三塩化ホウ素(BCL3)(暫定スタンダード)20011ガス
SEMI C3.34-92ジシラン(Si2H6),(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.34-92ジシラン(Si2H6), (スタンダード)19951ガス
SEMI C3.34-92ジシラン(Si2H6),(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.34-92ジシラン(Si2H6)(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.35-92塩化水素(HCl),VLSIグレード(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.35-95塩化水素(HCl),品質99.997%(暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.35-95塩化水素(HCl),品質99.997%(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.35-95塩化水素(HCl),品質99.997%(暫定スタンダード)20011ガス
SEMI C3.36-89塩化水素(HCl),SEMIグレード(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.36-94塩化水素(HCl),品質99.994%(暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.36-94塩化水素(HCl),品質99.994%(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.36-94
(撤回0701)
塩化水素(HCl),品質99.994%(暫定スタンダード)20011ガス
SEMI C3.37-93六フッ化エタン(C2F6),品質99.97%(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.37-93六フッ化エタン(C2F6),品質99.97%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.37-93六フッ化エタン(C2F6),品質99.97%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.37-0701六フッ化エタン(C2F6),品質99.97%(仕様)20011ガス
SEMI C3.38-89六フッ化タングステン(WF6),VLSIグレード(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.38-89六フッ化タングステン(WF6),VLSIグレード(暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.38-89六フッ化タングステン(WF6),VLSIグレード(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.39-91三フッ化窒素(NF3) (暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.39-91三フッ化窒素(NF3) (暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.39-91三フッ化窒素(NF3) (暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.39-09993フッ化窒素(NF3)20011ガス
SEMI C3.40-92四フッ化炭素(CF4),VLSIグレード(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.40-92四フッ化炭素(CF4),VLSIグレード(暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.40-92四フッ化炭素(CF4),VLSIグレード(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.40-1000四フッ化炭素(CF4),VLSIグレード(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.41-90酸素(O2),VLSIグレード,バルク(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.41-95酸素(O2),品質99.9998%(暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.41-0697酸素(O2),バルク,品質99.9998%(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.41-0697酸素(O2),バルク,品質99.9998%(暫定スタンダード)20011ガス
SEMI C3.42-90アルゴン(Ar),VLSIグレードバルク(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.42-90アルゴン(Ar),VLSIグレードバルク(暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.42-90アルゴン(Ar),VLSIグレードバルク(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.42-90アルゴン(Ar),VLSIグレードバルク(暫定スタンダード)20011ガス
SEMI C3.43-90フッ化水素(HF),無水(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.43-90フッ化水素(HF),無水(暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.43-90フッ化水素(HF),無水(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.43-90
(撤回0701)
フッ化水素(HF),無水(暫定スタンダード)20011ガス
SEMI C3.44-91ジボラン(B2H6) (スタンダード) (暫定)19931ケミカル
SEMI C3.44-91ジボラン(B2H6) (暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.44-91ジボラン(B2H6) (暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.44-91
(撤回0701)
ジボラン(B2H6)(暫定スタンダード)20011ガス
SEMI C3.45-92六フッ化エタン(C2F6),品質99.996%(暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.45-92六フッ化エタン(C2F6),品質99.996%(暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.45-92六フッ化エタン(C2F6),品質99.996%(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.45-92
(撤回0701)
六フッ化エタン(C2F6),品質99.996%(暫定スタンダード)20011ガス
SEMI C3.46-93アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.9992%(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.46-93アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.9992%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.46-93アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.9992%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.46-93アルゴン(Ar),バルク液体,品質99.9992%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.47-93臭化水素(HBr) (暫定スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.47-95臭化水素(HBr) 品質99.98%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.47-95臭化水素(HBr) 品質99.98%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.47-95臭化水素(HBr)品質99.98%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.48-93窒素(N2),バルク液体,品質99.9994%(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C3.48-93窒素(N2),バルク液体,品質99.9994%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.48-93窒素(N2),バルク液体,品質99.9994%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.48-0200窒素(N2),バルク液体,品質99.9994%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.49-94バルク窒素,品質99.99999%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.49-94バルク窒素,品質99.99999%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.49-94バルク窒素,品質99.99999%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.50-95亜酸化窒素(N2O) 99.9994%品質(暫定スタンダード)19951ガス
SEMI C3.50-95亞酸化窒素(N20) 99.9994%品質(暫定スタンダード)19971ガス
SEMI C3.50-1000亜酸化窒素(N2O),99.9994%(ガイドライン)20011ガス
SEMI C3.51-95三塩化ホウ素(BCl3),品質99.98%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.51-95三塩化ホウ素(BCl3),品質99.98%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.51-95三塩化ホウ素(BCl3),品質99.98%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.52-95六フッ化タングステン(WF6),品質99.996%(スタンダード)19951ガス
SEMI C3.52-95六フッ化タングステン(WF6),品質99.996%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.52-0200六フッ化タングステン(WF6),99.996%品質のスタンダード20011ガス
SEMI C3.53-95三フッ化メタン(CHF3),品質99.95%(スタンダード)19971ガス
SEMI C3.53-95(撤回0701)三フッ化メタン(CHF3),品質99.95%(スタンダード)20011ガス
SEMI C3.54-0697シラン(SiH4)のガス純度ガイドライン19971ガス
SEMI C3.54-0200シラン(SiH4)のガス純度ガイドライン20011ガス
SEMI C3.55-0200シラン(SiH4),バルクのスタンダード20011ガス
SEMI C3.56-0600ジボラン混合ガスの仕様20011ガス
SEMI C3.57-0600シリンダ中の電子的グレード二酸化炭素,CO2の仕様20011ガス
SEMI C3.58-0600八フッ化シクロブタン,C4F8,電子グレード,シリンダ充填の仕様20011ガス
SEMI C6.1-89パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.2窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様19931ケミカル
SEMI C6.2-93パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02酸素に対する微粒子仕様19931ケミカル
SEMI C6.2-93パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02酸素に対する微粒子仕様19951ガス
SEMI C6.2-93パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02酸素に対する微粒子仕様19971ガス
SEMI C6.2-93パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02酸素に対するパーティクル仕様20011ガス
SEMI C6.3-89パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.2水素(H2)に対する微粒子仕様19931ケミカル
SEMI C6.3-89パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.2水素(H2)に対する微粒子仕様19951ガス
SEMI C6.3-89パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.2水素(H2)に対する微粒子仕様19971ガス
SEMI C6.3-89パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02水素(H2)に対するパーティクル仕様20011ガス
SEMI C6.4-90パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.2窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様19931ケミカル
SEMI C6.4-90パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様19951ガス
SEMI C6.4-90パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様19971ガス
SEMI C6.4-90パイプラインガスとして授受されるグレード20/0.02窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対するパーティクル仕様20011ガス
SEMI C6.5-90パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.2窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様19931ケミカル
SEMI C6.5-90パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.2窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様19951ガス
SEMI C6.5-90パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.2窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様19971ガス
SEMI C6.5-90パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.2窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対するパーティクル仕様20011ガス
SEMI C6.6-90パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.1窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様19931ケミカル
SEMI C6.6-90パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.1窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様19951ガス
SEMI C6.6-90パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.1窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対する微粒子仕様19971ガス
SEMI C6.6-90パイプラインガスとして授受されるグレード10/0.1窒素(N2)及びアルゴン(Ar)に対するパーティクル仕様20011ガス
SEMI C6.7-93高圧ガスシリンダー中のグレード10/0.2窒素に対する微粒子仕様19931ケミカル
SEMI C6.7-93高圧ガスシリンダー中のグレード10/0.2窒素に対する微粒子仕様19951ガス
SEMI C6.7-93高圧ガスシリンダー中のグレード10/0.2窒素に対する微粒子仕様19971ガス
SEMI C6.7-93高圧ガスシリンダ中のグレード10/0.2窒素に対するパーティクル仕様20011ガス
SEMI C7.1-93アンモニア水,グレード2(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C7.1-95アンモニア水,グレード2(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C7.1-96アンモニア水,グレード2(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C7.2-90塩酸(ガイドライン) TIER A19931ケミカル
SEMI C7.2-94塩酸,グレード2(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C7.2-94塩酸,グレード2(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C7.3-93ふっ化水素酸,グレード2(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C7.3-93ふっ化水素酸,グレード2(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C7.3-93ふっ化水素酸,グレード2(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C7.4-934.9%ふっ化水素酸(10:1v/v),グレード2(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C7.4-934.9%ふっ化水素酸(10:1 V/V),グレード2(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C7.4-934.9%ふっ化水素酸(10:1 V/V),グレード2(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C7.5-93過酸化水素,グレード2(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C7.5-95過酸化水素,グレード2(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C7.5-95過酸化水素,グレード2(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C7.6-93硝酸,グレード2(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C7.6-95硝酸,グレード2(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C7.6-95硝酸,グレード2(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C7.7-932-プロパノール,グレード2(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C7.7-932-プロパノール,グレード2(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C7.7-932-プロパノール,グレード2(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C7.8-93硫酸,グレード2(スタンダード)19931ケミカル
SEMI C7.8-94硫酸,グレード2(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C7.8-94硫酸,グレード2(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C7.9-93バッファード・酸化腐食剤(ガイドライン) TIER A19931ケミカル
SEMI C7.9-93バッファード・酸化腐食剤(ガイドライン) TIER A19951プロセスケミカル
SEMI C7.9-93バッファード・酸化腐食剤(ガイドライン) TIER A19971プロセスケミカル
SEMI C7.10-91ヘキサメチルジシラザン(ガイドライン) (スタンダード)19931ケミカル
SEMI C7.10-94ヘキサメチルジシラザン(ガイドライン) TIER A19951プロセスケミカル
SEMI C7.10-94ヘキサルメチルジシラザン(ガイドライン) TIER A19971プロセスケミカル
SEMI C7.11-93りん酸(ガイドライン) TIER A19931ケミカル
SEMI C7.11-93りん酸(ガイドライン) TIER A19951プロセスケミカル
SEMI C7.11-93りん酸(ガイドライン) TIER A19971プロセスケミカル
SEMI C7.12-91オキシ塩化りん(ガイドライン) TIER A19931ケミカル
SEMI C7.12-91オキシ塩化りん(ガイドライン) TIER A19951プロセスケミカル
SEMI C7.12-91オキシ塩化りん(POCl3) (ガイドライン) TIER A19971プロセスケミカル
SEMI C7.13-91テトラエトキシシラン(ガイドライン) TIER A19931ケミカル
SEMI C7.13-95テトラエトキシシラン(ガイドライン) TIER A19951プロセスケミカル
SEMI C7.13-95テトラエトキシシラン(ガイドライン) TIER A19971プロセスケミカル
SEMI C7.14-9125%テトラメチル水酸化アンモニウム(ガイドライン) TIER A19931ケミカル
SEMI C7.14-9125%テトラメチル水酸化アンモニウム(ガイドライン) TIER A19951プロセスケミカル
SEMI C7.14-9125%テトラメチル水酸化アンモニウム(ガイドライン) TIER A19971プロセスケミカル
SEMI C7.15-91トリクロロエタン・ファーネスグレード(ガイドライン) TIER A19931ケミカル
SEMI C7.15-911,1,1トリクロロエタン,ファーネスグレード(ガイドライン) TIER A19951プロセスケミカル
SEMI C7.15-911,1,1トリクロロエタン,ファーネスグレード(ガイドライン) TIER A19971プロセスケミカル
SEMI C7.16-92N-メチル2-ピロリドン(ガイドライン) TIER A19931ケミカル
SEMI C7.16-95N-メチル-2-ピロリドン,グレード2(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C7.16-95N-メチル-2-ピロリドン,グレード2(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C7.17-94三臭化ホウ素,TIER A(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C7.17-94三臭化ホウ素,TIER A(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C7.18-95フッ化アンモニウム40%溶液,TIER A(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C7.18-95フッ化アンモニウム40%溶液,TIER A(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C7.19-95混合酸腐食剤,TIER A(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C7.19-95混合酸腐食剤,TIER A(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C7.20-95トランス1.2ジクロロエチレン,TIER A(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C7.20-95トランス1,2ジクロロエチレン,TIER A(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C7.21-95トリメチルホウ酸,TIER A(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C7.21-95トリメチルホウ酸,TIER A(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C7.22-95トリメチルホスフィン,TIER A(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C7.22-95トリメチルホスフィン,TIER A(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C7.23-0697緩衝酸化物腐食剤,グレード2(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C7.24-0697リン酸(H3PO4),グレード2(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C8.1-92アンモニア水(ガイドライン) TIER B19931ケミカル
SEMI C8.1-95水酸化アンモニウムグレード3(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C8.1-96水酸化アンモニウム,グレード3(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C8.2-92塩酸(ガイドライン) TIER B19931ケミカル
SEMI C8.2-92塩酸(ガイドライン) TIER B19951プロセスケミカル
SEMI C8.2-92塩酸(ガイドライン) TIER B19971プロセスケミカル
SEMI C8.3-92ふっ化水素酸(ガイドライン) TIER B19931ケミカル
SEMI C8.3-92ふっ化水素酸(ガイドライン) TIER B19951プロセスケミカル
SEMI C8.3-96ふっ化水素酸(ガイドライン) TIER B19971プロセスケミカル
SEMI C8.4-924.9%ふっ化水素酸(10:1 v/v) (ガイドライン) TIER B19931ケミカル
SEMI C8.4-954.9%ふっ化水素酸(10:1 V/V)グレード3(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C8.4-954.9%ふっ化水素酸(10:1v/v),グレード3(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C8.5-92過酸化水素(ガイドライン) TIER B19931ケミカル
SEMI C8.5-95過酸化水素グレード3(スタンダード)19951プロセスケミカル
SEMI C8.5-95過酸化水素,グレード3(スタンダード)19971プロセスケミカル
SEMI C8.6-92硝酸(ガイドライン) TIER B19931ケミカル
SEMI C8.6-95硝酸(ガイドライン) TIER B19951プロセスケミカル
SEMI C8.6-95硝酸(ガイドライン) TIER B19971プロセスケミカル
SEMI C8.7-922-プロパノール(ガイドライン) TIER B19931ケミカル
SEMI C8.7-922-プロパノール(ガイドライン) TIER B19951プロセスケミカル
SEMI C8.7-922-プロパノール(ガイドライン) TIER B19971プロセスケミカル
SEMI C8.8-92硫酸(ガイドライン) TIER B19931ケミカル
SEMI C8.8-92硫酸(ガイドライン) TIER B19951プロセスケミカル
SEMI C8.8-92硫酸(ガイドライン) TIER B19971プロセスケミカル
SEMI C8.9-93N-メチル2-ピロリドン(ガイドライン) TIER B19931ケミカル
SEMI C8.9-94N-メチル-2-ピロリドン(ガイドライン) TIER B19951プロセスケミカル
SEMI C8.9-94N-メチル-2-ピロリドン(ガイドライン) TIER B19971プロセスケミカル
SEMI C8.10-93りん酸(ガイドライン) TIER B19931ケミカル
SEMI C8.10-93りん酸(ガイドライン) TIER B19951プロセスケミカル
SEMI C8.10-93りん酸(ガイドライン) TIER B19971プロセスケミカル
SEMI C9.1-93重量測定により調製された混合ガスの不確定性の分析に対するガイド19931ケミカル
SEMI C9.1-93重量測定により調製された混合ガスの不確定性の分析に対するガイド19951ガス
SEMI C9.1-93重量測定により調整された混合ガスの不確定性の分析に対するガイド19971ガス
SEMI C9.1-93重量測定により調製された混合ガスの不確定性の分析に対するガイド20011ガス
SEMI C10-94プラズマ分光法による微量金属分析のための方法検出限界測定のガイドライン19951ガス
SEMI C10-94プラズマ分光法による微量金属分析のための方法検出限界測定のガイドライン19971ガス
SEMI C10-0299方法検出限界の決定に関するガイド20011ガス
SEMI C10-0299方法検出限界の決定に関するガイド20011プロセスケミカル
SEMI C11.1-94水酸化アンモニウム,VLSIグレード(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C11.1-94水酸化アンモニウム,VLSIグレード(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C11.2-94フッ化アンモニウム溶液,VLSIグレード(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C11.2-94フッ化アンモニウム溶液,VLSIグレード(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C11.3-94フッ化水素酸,VLSIグレード(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C11.3-94フッ化水素酸,VLSIグレード(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C11.4-94過酸化水素,VLSIグレード(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C11.4-94過酸化水素,VLSIグレード(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C11.5-94硫酸,VLSIグレード(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C11.5-94硫酸,VLSIグレード(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C11.6-1296塩酸(HCl),VLSIグレード(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C12.1-95水酸化アンモニウム,TIER C(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C12.1-95水酸化アンモニウム,TIER C(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C12.2-95塩酸,TIER C(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C12.2-96塩酸,TIER C(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C12.3-954.9%フッ化水素酸(10:1 V/V) TIER C(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C12.3-964.9%フッ化水素酸(10:1V/V) TIER C(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C12.4-95過酸化水素,TIER C(ガイドライン)19951プロセスケミカル
SEMI C12.4-95過酸化水素,TIER C(ガイドライン)19971プロセスケミカル
SEMI C13-95ユースポイントガスフィルターのパーティクル阻止および浸透性能のためのテスト方法19951ガス
SEMI C13-95ユースポイントガスフィルターのパーティクル阻止および浸透性能のためのテスト方法19971ガス
SEMI C13-95ユースポイントガスフィルターのパーティクル阻止および浸透性能のためのテスト方法20011ガス
SEMI C14-9525cmガスフィルターカートリッジのパーティクル阻止と性能のためのテスト方法19951ガス
SEMI C14-9525cmガスフィルターカートリッジのパーティクル阻止と性能のためのテスト方法19971ガス
SEMI C14-9525cmガスフィルターカートリッジのパーティクル阻止と性能のためのテスト方法20011ガス
SEMI C15-95PPMおよびPPB水分標準のためのテスト方法19951ガス
SEMI C15-95PPMおよびPPB水分標準のためのテスト方法19971ガス
SEMI C15-95PPMおよびPPB水分標準のためのテスト方法20011ガス
SEMI C16-0697正確な報告/データトレーサビリティガイド19971ガス
SEMI C16-0299精度及びデータ報告作業方法のガイド20011ガス
SEMI C16-0299精度及びデータ報告作業方法のガイド20011プロセスケミカル
SEMI C18-0301酢酸の仕様20011プロセスケミカル
SEMI C19-0301アセトンの仕様20011プロセスケミカル
SEMI C20-0301フッ化アンモニウム40%溶液の仕様とガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C21-0301水酸化アンモニウムの仕様とガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C22-0699三臭化ボロンのガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C23-0301バッファー酸腐食剤の仕様20011プロセスケミカル
SEMI C24-0301酢酸n-ブチルの仕様20011プロセスケミカル
SEMI C25-0699Eジクロロメタン(塩化メチレン)の仕様20011プロセスケミカル
SEMI C26-0699Eヘキサメチルジシラザン(HMDS)の仕様とガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C27-0301塩酸の仕様とガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C28-0301フッ化ケイ素酸の仕様とガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C29-03014.9%フッ化ケイ素酸(10:1 V/V)の仕様とガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C30-0301過酸化水素の仕様とガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C31-0301メタノールの仕様20011プロセスケミカル
SEMI C32-0699メチルエチルケトンの仕様20011プロセスケミカル
SEMI C33-0301N-メチル-2-ピロリドンの仕様20011プロセスケミカル
SEMI C34-0699混合酸腐食剤の仕様とガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C35-0301硝酸の仕様とガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C36-0301りん酸の仕様とガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C37-0699りん腐食剤の仕様20011プロセスケミカル
SEMI C38-0699オキシ塩化りんのガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C39-0699水酸化カリウム(固体)の仕様20011プロセスケミカル
SEMI C40-0699水酸化カリウム,45%溶液の仕様20011プロセスケミカル
SEMI C41-0301A2-プロパノールの仕様とガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C42-0699水酸化ナトリウム(固体)の仕様20011プロセスケミカル
SEMI C43-0699水酸化ナトリウム50%溶液の仕様20011プロセスケミカル
SEMI C44-0301硫酸の仕様とガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C45-0301テトラエトキシシラン(TEOS)ガイドラインと仕様20011プロセスケミカル
SEMI C46-069925%トラメチル水酸化アンモニウムのガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C47-0699トランス1,2ジクロロエチレンのガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C48-06991,1,1トリクロロエタン,ファーネスグレードの仕様とガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C49-0699Eトリメチルホウ酸のガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C50-0699トリメチルホスフィンのガイドライン20011プロセスケミカル
SEMI C51-0699キシレン仕様20011プロセスケミカル
SEMI C52-0301特殊ガスの貯蔵寿命に関する仕様20011ガス
SEMI D3-91FPD基板の有効範囲19933FPD
SEMI D3-91FPD基板の有効範囲19955FPD
SEMI D3-91FPD基板の有効範囲19975FPD
SEMI D3-91FPD基板の有効範囲20016FPD
SEMI D4-91FPD基板バックプレートを基準とする方法19933FPD
SEMI D4-94FPD基板を基準とする方法19955FPD
SEMI D4-94FPD基板を基準とする方法19975FPD
SEMI D4-94(撤回0600)FPD基板を基準とする方法20016FPD
SEMI D5-92FPD基板の標準サイズ19933FPD
SEMI D5-94FPD基板の標準サイズ19955FPD
SEMI D5-94FPD基板の標準サイズ19975FPD
SEMI D5-94FPD基板の標準サイズ20016FPD
SEMI D6-92FPDマスク基板に対する標準サイズ及び厚み19933FPD
SEMI D6-92FPDマスク基板に対する標準サイズ及び厚み19955FPD
SEMI D6-1296FPDマスク基板に対する標準のエッジ長と厚み19975FPD
SEMI D6-0699FPDマスク基板のエッジ長と厚みの仕様20016FPD
SEMI D7-94FPD用ガラス基板の表面粗さの測定方法19955FPD
SEMI D7-94FPD用ガラス基板の表面粗さの測定方法19975FPD
SEMI D7-94FPD用ガラス基板の表面粗さの測定方法20016FPD
SEMI D8-94FPD用ステッパーの重ね合わせ性能の仕様19955FPD
SEMI D8-94FPD用ステッパーの重ね合わさ性能の仕様19975FPD
SEMI D8-94FPD用ステッパーの重ね合わせ性能の仕様20016FPD
SEMI D9-94FPD基板の定義19955FPD
SEMI D9-94FPD基板の定義19975FPD
SEMI D9-94FPD基板の定義20016FPD
SEMI D10-95FPD用ガラス基板の耐薬品性試験方法19955FPD
SEMI D10-95FPD用ガラス基板の耐薬品性試験方法19975FPD
SEMI D10-95FPD用ガラス基板の耐薬品性試験方法20016FPD
SEMI D11-95FPDガラス基板セットの仕様19955FPD
SEMI D11-95FPDガラス基板カセットの仕様19975FPD
SEMI D11-95FPDガラス基板カセットの仕様20016FPD
SEMI D12-95FPD基板のエッジ状態のための仕様19955FPD
SEMI D12-95FPD基板のエッジ状態のための仕様19975FPD
SEMI D12-95FPD基板のエッジ状態の仕様20016FPD
SEMI D13-95FPD用カラーフィルタ組立用の用語と定義19955FPD
SEMI D13-95FPD用カラーフィルタ組立用の用語と定義19975FPD
SEMI D13-95FPD用カラーフィルタ組立用の用語と定義20016FPD
SEMI D14-96FPDステッパの画像フィールド・スティッチング容量の仕様19975FPD
SEMI D14-96FPDステッパの画像フィールド・スティッチング容量の仕様20016FPD
SEMI D15-1296FPDガラス基板の表面うねりの測定方法19975FPD
SEMI D15-1296FPDガラス基板の表面うねりの測定方法20016FPD
SEMI D16-0998FPDマテリアルハンドリングシステムとツールポート間の機械的インタフェース仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI D16-0998FPDマテリアルハンドリングシステムとツールポート間の機械的インタフェース仕様20016FPD
SEMI D17-0200FPDガラス基板搬送用カセットの機械的仕様20016FPD
SEMI D18-0299EFPD基板水平搬送用および保管用カセット仕様20016FPD
SEMI D19-0299EFPD用カラーフィルタの耐薬品性試験方法20016FPD
SEMI D20-1000FPDマスク欠陥用語の定義20016FPD
SEMI D21-1000FPDマスク関連用語の定義20016FPD
SEMI D22-0999FPDカラーフィルタ色特性の測定方法20016FPD
SEMI D23-0999FPD製造装置のコスト(CEO)計算のガイド20016FPD
SEMI D24-0200FPD用ガラス基板の仕様20016FPD
SEMI D25-0600FPDガラス基板輸送用梱包ケースの仕様20016FPD
SEMI D26-1000FPD用大型マスクの暫定仕様(北米地区限定)20016FPD
SEMI D27-1000FPD装置の通信インタフェースのガイド20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI D27-1000FPD装置の通信インタフェースのガイド20016FPD
SEMI E1-863インチ,100mm,125mm,150mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ19932製造装置
SEMI E1-863インチ,100mm,125mm,150mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E1-06973インチ,100mm,125mm,150mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E1-06973インチ,100mm,125mm,150mmプラスチック及びメタルウェーハキャリア20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.1-913インチプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用)19932製造装置
SEMI E1.1-913インチプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.1-06973インチプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.1-06973インチプラスチック及びメタルウェーハキャリア(一般用)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.2-91100mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用)19932製造装置
SEMI E1.2-91100mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.2-0697100mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.2-0697100mmプラスチック及びメタルウェーハキャリア(一般用)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.3-91125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用)19932製造装置
SEMI E1.3-91125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.3-0697125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.3-0697125mmプラスチック及びメタルウェーハキャリア(一般用)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.4-86125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(自動搬送用)19932製造装置
SEMI E1.4-86125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(自動搬送用)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.4-0697125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(自動搬送用)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.4-0697125mmプラスチック及びメタルウェーハキャリア(自動搬送用)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.5-91150mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用)19932製造装置
SEMI E1.5-91150mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.5-91150mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.5-91(Reapproved0299)150mmプラスチック及びメタルウェーハキャリア(一般用)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.7-94200mmプラスチック及びメタルウェーハキャリヤ(一般用) (提案)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.7-94200mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ(一般用) (提案)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.9-94300mmプラスチック及びメタルキャリア/自動搬送用途のための測定仕様19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.9-0697300mmウエハの搬送および保管に使用されるウエハカセットの機械仕様(暫定仕様)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E1.9-0701300mmウェーハ搬送及び保管用ウェーハカセットの機械仕様(仕様)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E2-93石英および高温用ウエハキャリヤ19932製造装置
SEMI E2-93石英および高温用ウエハキャリヤ19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E2-93石英および高温用ウエハキャリヤ19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E2-93(Reapproved0299)石英及び高温用ウェーハキャリア20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E2.1-86125mm,150mm石英および高温ウエハキャリヤ19932製造装置
SEMI E2.1-86125mm,150mm石英および高温ウエハキャリヤ19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E2.2-93200mm石英および高温ウェハキャリヤ19932製造装置
SEMI E2.2-93200mm石英および高温ウェハキャリヤ19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E2.2-93200mm石英および高温ウエハキャリヤ19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E2.2-93(Reapproved0299)200mm石英および高温ウェーハキャリア20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E2.3-93100mm石英および高温ウェハキャリヤ19932製造装置
SEMI E2.3-93100mm石英および高温ウェハキャリヤ19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E2.3-93100mm石英および高温ウエハキャリヤ19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E2.3-93(Reapproved0299)100mm石英および高温ウェーハキャリア20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E2.4-93125mm石英および高温ウェハキャリヤ19932製造装置
SEMI E2.4-93125mm石英および高温ウェハキャリヤ19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E2.4-93125mm石英および高温ウエハキャリヤ19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E2.4-93(Reapproved0299)125mm石英および高温ウェーハキャリア20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E2.5-93150mm石英および高温ウェハキャリヤ19932製造装置
SEMI E2.5-93150mm石英および高温ウェハキャリヤ19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E2.5-93150mm石英および高温ウエハキャリヤ19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E2.5-93(Reapproved0299)150mm石英および高温ウェーハキャリア20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E4-91半導体製造装置スタンダード1 メッセージトランスファ(SECS-I)19932製造装置
SEMI E4-91半導体製造装置通信スタンダード1 メッセージトランスファ(SECS-I)19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E4-91半導体製造装置通信スタンダード1 メッセージトランスファ(SECS-I)19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E4-0699半導体製造装置通信スタンダード1 メッセージトランスファ(SECS-Ⅰ)20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E5-93半導体製造装置通信スタンダード2 メッセージj内容(SECS-II)19932製造装置
SEMI E5-95半導体製造装置通信スタンダード2 メッセージ内容(SECS-II)19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E5-1296半導体製造装置通信スタンダード2 メッセージ内容(SECS-II)19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E5-0701半導体製造装置通信スタンダード2 メッセージ内容(SECS-Ⅱ)20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E6-92設備インタフェース(ガイドラインとフォーマット)19932製造装置
SEMI E6-92設備インタフェース(ガイドラインとフォーマット)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E6-1296設備インターフェース(ガイドラインとフォーマット)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E6-1296設備インタフェース(ガイドラインとフォーマット)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E7-91電気的インタフェース(米国用)19932製造装置
SEMI E7-91電気的インタフェース(米国用)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E7-91電気的インタフェース(米国用)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E7-91(Reapproved0699)電気的インタフェース(米国用)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E8-92ウエハ搬送システム:インタフェースコーディネイト19932製造装置
SEMI E8-92ウエハ搬送システム:インタフェースコーディネイト19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E8-92ウエハ搬送システム:インタフェースコーディネイト19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E8-92(撤回0698)ウェーハ搬送システム:インタフェースコーディネイト20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E10-92半導体製造装置の信頼性,有用性,整備性の定義と測定(ガイドライン)19932製造装置
SEMI E10-92半導体製造装置の信頼性,有用性,整備性の定義と測定(ガイドライン)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E10-96半導体製造装置の信頼性,有用性,整備性の定義と測定(スタンダード)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E10-0701半導体製造装置の信頼性,有用性,整備性の定義と測定仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E11-91125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ・アプリケーション(ガイドライン)19932製造装置
SEMI E11-91125mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ・アプリケーション(ガイドライン)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E11-0697125mm,150mm,200mmプラスチック及びメタルウエハキャリヤ・アプリケーション(ガイドライン)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E11-0697125mm,150mm,200mmプラスチック及びメタルウェーハキャリア・アプリケーション(ガイドライン)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E12-91マスフローメータ及びマスフローコントローラに使用される流通単位のための標準圧力及び標準温度19932製造装置
SEMI E12-91マスフローメータ及びマスフローコントローラに使用される流量単位のための標準圧力及び標準温度19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E12-96マスフローメーターおよびマスフローコントローラに使用される標準の圧力,温度,密度,および流量単位(スタンダード)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E12-96マスフローメーターおよびマスフローコントローラに使用される標準の圧力,温度,密度,および流量単位(スタンダード)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E13-91半導体製造装置通信スタンダード・メッセージサービス(SMS)19932製造装置
SEMI E13-91SEMI 半導体製造装置通信スタンダード・メッセージサービス(SMS)19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E13-91原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中におけるナトリウムとカリウムの測定20015マイクロリソグラフィ
SEMI E14-93プロセス装置または補助用具から製品に付着する粒子汚染の測定19932製造装置
SEMI E14-93プロセス装置または補助用具から製品に付着する粒子汚染の測定19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E14-93プロセス装置または補助用具から製品に付着する粒子汚染の測定19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E14-93プロセス装置または補助用具から製品に付着するパーティクル汚染の測定20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E14-0997黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中の錫の測定20015マイクロリソグラフィ
SEMI E15-91装置間の材料搬送インタフェース19932製造装置
SEMI E15-95装置間の材料搬送インタフェース19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E15-96ツールロードポートの仕様19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E15-0698ツールロードポートの仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E15-92原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中のナトリウムとカリウムの測定20015マイクロリソグラフィ
SEMI E15.1-0697300mmツールロードポートの仕様(暫定仕様)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E15.1-0600300mm装置ロードポートのための仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E16-90マスフローコントローラ漏洩率の決定及び記述(ガイドライン)19932製造装置
SEMI E16-90マスフローコントローラ漏洩率の決定及び記述(ガイドライン)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E16-90マスフローコントローラ漏洩率の決定及び記述(ガイドライン)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E16-90(Reapproved0699)マスフローコントローラ漏洩率の決定及び記述(ガイドライン)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E16-90(Reapproved 0699)マスフローコントローラ漏洩率の決定及び記述(ガイドライン)20014設備及び安全性
SEMI E16-92黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中の錫の測定20015マイクロリソグラフィ
SEMI E17-91マスフローコントローラの過渡特性テスト(ガイドライン)19932製造装置
SEMI E17-91マスフローコントローラの過渡特性テスト(ガイドライン)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E17-91マスフローコントローラの過渡特性テスト(ガイドライン)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E17-0600マスフローコントローラの過渡特性テスト(ガイドライン)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E17-0600マスフローコントローラの過渡特性テスト(ガイドライン)20014設備及び安全性
SEMI E17-92誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液における鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定20015マイクロリソグラフィ
SEMI E18-91マスフローコントローラの温度スペック(ガイドライン)19932製造装置
SEMI E18-91マスフローコントローラの温度スペック(ガイドライン)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E18-91マスフローコントローラの温度スペック(ガイドライン)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E18-91(Reapproved0299)マスフローコントローラの温度スペック(ガイドライン)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E18-92ウェーハステッパーのオーバーレイ能力20015マイクロリソグラフィ
SEMI E19-91標準メカニカルインタフェース(SMIF)19932製造装置
SEMI E19-91標準メカニカルインタフェース(SMIF)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E19-0697標準メカニカルインタフェース(SMIF)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E19-0697標準メカニカルインタフェース(SMIF)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E19-92集積回路製造用メトロロジパターンセル20015マイクロリソグラフィ
SEMI E19.1-91ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用100mmポート19932製造装置
SEMI E19.1-91ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用100mmポート19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E19.1-0697ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用100mmポート19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E19.1-0697ウェーハカセット搬送のメカニカルインタフェース用100mmポート20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E19.2-91ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用125mmポート19932製造装置
SEMI E19.2-91ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用125mmポート19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E19.2-0697ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用125mmポート19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E19.2-0697ウェーハカセット搬送のメカニカルインタフェース用125mmポート20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E19.3-91ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用150mmポート19932製造装置
SEMI E19.3-91ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用150mmポート19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E19.3-0697ウエハカセット搬送のメカニカルインタフェース用150mmポート19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E19.3-0697ウェーハカセット搬送のメカニカルインタフェース用150mmポート20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E19.4-92200mm標準メカニカルインタフェース(SMIF)19932製造装置
SEMI E19.4-94200mm標準メカニカルインタフェース(SMIF)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E19.4-94200mm標準メカニカルインタフェース(SMIF)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E19.4-0998200mm標準メカニカルインタフェース(SMIF)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E19.5-0996300mmボトムオープニングの標準メカニカルインタフェース(SMIF)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E19.5-0996300mmボトムオープニングの標準メカニカルインタフェース(SMIF)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E20-91クラスターツール・モジュール・インタフェース:電源および緊急停止19932製造装置
SEMI E20-91クラスターツール・モジュール・インタフェース:電源および緊急停止19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E20-0697クラスターツール・モジュール・インタフェース:電源および緊急停止19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E20-0697クラスタツール・モジュール・インタフェース:電源および緊急停止20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E20-92EBレジストパラメータのカタログ公表(ガイドライン)20015マイクロリソグラフィ
SEMI E21-91クラスターツール・モジュール・インタフェース:メカニカル・インタフェースおよびウエハ搬送19932製造装置
SEMI E21-94クラスターツール・モジュール・インタフェース:メカニカル・インタフェースおよびウエハ搬送19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E21-94クラスターツール・モジュール・インタフェース:メカニカルインタフェースおよびウエハ搬送19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E21-94(Reapproved0699)クラスタツール・モジュール・インタフェース:メカニカル・インタフェースおよびウェーハ搬送20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E21-92マスク描写装置の精度表示(ガイドライン)20015マイクロリソグラフィ
SEMI E21.1-92クラスターツール・モジュール・インタフェース:300mmメカニカルインタフェースおよびウエハ搬送19932製造装置
SEMI E21.1-92クラスターツール・モジュール・インタフェース:300mmメカニカルインタフェースおよびウエハ搬送19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E21.1-1296クラスターツール・モジュール・インターフェース:300mmメカニカルインタフェースおよびウエハ搬送19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E21.1-1296クラスタツール・モジュール・インタフェース:300mmメカニカルインタフェースおよびウェーハ搬送20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E22-91クラスターツール・モジュール・インタフェース:搬送モジュール・エンドエフェクター・排除ボリューム19932製造装置
SEMI E22-91クラスターツール・モジュール・インタフェース:搬送モジュール・エンドエフェクター・排除ボリューム19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E22-0697クラスターツール・モジュール・インタフェース:搬送モジュール・エンドエフェクター・排除ボリューム19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E22-0697クラスタツール・モジュール・インタフェース:搬送モジュール・エンドエフェクタ・排除領域20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E22-0699フォトマスク欠陥の分類とサイズ定義についてのガイドライン20015マイクロリソグラフィ
SEMI E22.1-92クラスターツール・モジュールインタフェース:300mm搬送モジュール・エンドエフェクター・排除ボリューム19932製造装置
SEMI E22.1-92クラスターツール・モジュール・インタフェース:300mm搬送モジュール・エンドエフェクター・排除ボリューム19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E22.1-1296クラスターツール・モジュール・インタフェース:300mm搬送モジュール・エンドエフェクター・排除ボリューム19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E22.1-1296クラスタツール・モジュール・インタフェース:300mm搬送モジュール・エンドエフェクタ・排除領域20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E23-91カセット搬送パラレルI/Oインタフェース仕様19932製造装置
SEMI E23-91カセット搬送パラレルI/Oインタフェース仕様19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E23-96カセット搬送パラレルI/Oインタフェース仕様19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E23-96カセット搬送パラレルI/Oインタフェース仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E23-0200プログラム欠陥マスク及びマスク欠陥検査システムの感度分析ベンチマーク手順についてのガイドライン20015マイクロリソグラフィ
SEMI E24-92クラスターツール・モジュール・インタフェース:絶縁バルブインターロック19932製造装置
SEMI E24-92クラスターツール・モジュール・インタフェース:絶縁バルブインターロック19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E24-92クラスターツール・モジュール・インタフェース:隔離バルブインターロック19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E24-92(Reapproved0699)クラスタツール・モジュール・インタフェース:隔離バルブインターロック20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E24-94CD測長手順20015マイクロリソグラフィ
SEMI E25-92クラスターツール・モジュールインタフェース:モジュールアクセス(ガイドライン)19932製造装置
SEMI E25-92クラスターツール・モジュール・インタフェース:モジュールアクセス(ガイドライン)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E25-92クラスターツール・モジュール・インタフェース:モジュールアクセス(ガイドライン)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E25-92(Reapproved0699)クラスタツール・モジュール・インタフェース:モジュールアクセス(ガイドライン)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E25-94焦点深度および最適焦点深度(仕様)20015マイクロリソグラフィ
SEMI E26-92放射状クラスターツール・フットプリント19932製造装置
SEMI E26-92放射状クラスターツール・フットプリント19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E26-92放射状クラスターツール・フットプリント19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E26-92(Reapproved0699)放射状クラスタツール・フットプリント20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E26-96フォトレジストの感度測定用パラメータチェックリスト20015マイクロリソグラフィ
SEMI E26.1-92放射状クラスターツール・300mmフットプリント19932製造装置
SEMI E26.1-92放射状クラスターツール・300mmフットプリント19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E26.1-92放射状クラスターツール・300mmフットプリント19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E26.1-92(Reapproved0699)放射状クラスタツール・300mmフットプリント20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E27-92マスフローコントローラ及びマスフローメータの直線性19932製造装置
SEMI E27-92マスフローコントローラ及びマスフローメータの直線性19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E27-92マスフローコントローラ及びマスフローメータの直線性19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E27-92(Reapproved0299)マスフローコントローラ及びマスフローメータの直線性20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E27-96基板上のレジスト膜厚の測定用パラメータチェックリスト20015マイクロリソグラフィ
SEMI E28-92マスフローコントローラの圧力スペック(ガイドライン)19932製造装置
SEMI E28-92マスフローコントローラの圧力スペック(ガイドライン)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E28-92マスフローコントローラの圧力スペック(ガイドライン)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E28-92(Reapproved0299)マスフローコントローラの圧力スペック(ガイドライン)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E28-96集積回路製造用オーバーレイ計測テストパターン20015マイクロリソグラフィ
SEMI E29-93マスフローコントローラ及びマスフローメーターの校正のための標準用語19932製造装置
SEMI E29-93マスフローコントローラ及びマスフローメーターの校正のための標準用語19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E29-93マスフローコントローラ及びマスフローメーターの校正のための標準用語19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E29-93(Reapproved0299)マスフローコントローラおよびマスフローメータの校正のための標準用語20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E29-0997ハーフトーン/減衰位相シフトマスク及びマスクブランク特有特性記述のためのガイドライン20015マイクロリソグラフィ
SEMI E30-93SEMI製造装置の通信及びコントロールのための包括的モデル(GEM)19932製造装置
SEMI E30-95SEMI 製造装置の通信及びコントロールのための包括的モデル(GEM)19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E30-1296SEMI 製造装置の通信及びコントロールのための包括的モデル(GEM)19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E30-1000SEMI 製造装置の通信及びコントロールのための包括的モデル(GEM)20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E30-0997寸法測定用走査型電子顕微鏡(CD-SEM)の目録発行の実施要項20015マイクロリソグラフィ
SEMI E30.1-0200検査および評価特定装置モデル(ISEM)20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E30.2-0698ハンドラー装置の特定装置モデル(HSEM)20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E30.3-0698テスト装置の特定装置モデル(TSEM)20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E30.5-0701計測装置の特定装置モデル20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E31-93電気的インタフェース(日本用)19932製造装置
SEMI E31-93電気的インターフェース(日本用)19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E31-93電気的インタフェース(日本用)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E31-93電気的インタフェース(日本用)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E31-0997化学増幅型(CA)フォトレジストパラメータのカタログ発行の実施要領20015マイクロリソグラフィ
SEMI E32-94材料搬送管理スタンダード(MMM)19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E32-0697材料搬送管理スタンダード(MMM)19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E32-0997材料搬送管理スタンダード(MMM)20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E32-0998フォトレジスト中のトレースメタル定量のための試験方法20015マイクロリソグラフィ
SEMI E32.1-94材料搬送のためのSECS-II実施19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E32.1-1296材料搬送へのSECS-IIのサポート19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E32.1-0997材料搬送へのSECE-Ⅱのサポート20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E33-94半導体製造設備の電磁適合性のための仕様19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E33-94半導体製造設備の電磁適合性のための仕様19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E33-94半導体製造設備の電磁適合性のための仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E33-0998現像用230mm正方形硬質表面フォトマスク基板のための仮仕様書20015マイクロリソグラフィ
SEMI E34-95マスフローデバイス返還のためのガイドライン19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E34-95マスフローデバイス返還のためのガイドライン19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E34-95マスフローデバイス返還のためのガイドライン20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E34-0200230mm方形フォトマスク基板の仕様20015マイクロリソグラフィ
SEMI E35-95半導体製造装置測定方法のためのCOO19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E35-95A半導体製造装置のCOO測定方法19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E35-0701半導体製造装置のCCO測定方法20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E35-0200Eマイクロリソグラフィメトロロジの用語法20015マイクロリソグラフィ
SEMI E35.1-95装置のCOO比較測定法のためのガイド19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E35.1-95装置のCOO比較測定法のためのガイド19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E35.1-95装置のCOO比較測定法のためのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E36-95電子文書交換のための仕様19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E36-95電子文書交換のための仕様19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E36-0699半導体装置製造情報タグ付け仕様20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E36-0600測長走査型電子顕微鏡(CD-SEM)用倍率標準試料のガイドライン20015マイクロリソグラフィ
SEMI E37-95高速SECSメッセージサービス(HSMS)汎用サービス19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E37-95高速SECSメッセージサービス(HSMS)汎用サービス19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E37-0298高速SECSメッセージサービス(HSMS)汎用サービス20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E37.1-95高速SECSメッセージサービス シングルセッションモード(HSMS-SS)19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E37.1-96高速SECSメッセージサービス シングルセッションモード(HSMS-SS)19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E37.1-96E高速SECSメッセージサービス シングルセッションモード(HSMS-SS)20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E37.2-95高速SECSメッセージサービス ジェネラルセッション(HSMS-GS)19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E37.2-95高速SECSメッセージサービス ジェネラルセッション(HSMS-GS)19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E37.2-95高速SECSメッセージサービス ジェネラルセッション(HSMS-GS)20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E38-95クラスタツールモジュール通信(CTMC)19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E38-1296クラスタツールモジュール通信(CTMC)19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E38-1296クラスタツールモジュール通信(CTMC)20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E38.1-95クラスタツールモジュール内の通信環境/HSMSセッションを使用するSECS-IIメッセージ19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E38.1-95クラスターツールモジュール内の通信環境/HSMSセッションを使用するSECS-IIメッセージ19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E38.1-95クラスタツールモジュール内の通信環境/HSMSセッションを利用するSECS-IIメッセージ20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E39-95オブジェクトサービススタンダードコンセプト/ビヘイビア/サービス19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E39-0697オブジェクトサービススタンダード:コンセプト,挙動,およびサービス19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E39-0600オブジェクトサービス・スタンダード:概念,挙動,およびサービス20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E39.1-95オブジェクトサービススタンダード(OSS)用SECS-IIプロトコル19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E39.1-1296オブジェクトサービススタンダード(OSS)のためのSECS-IIプロトコル19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E39.1-1296オブジェクトサービススタンダード(OSS)のためのSECS-Ⅱプロトコル20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E40-95プロセス管理規格19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E40-96プロセス管理スタンダード19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E40-0701プロセス管理スタンダード20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E40.1-0996プロセス管理スタンダードへのSECS-IIのサポート19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E40.1-0701プロセス管理スタンダードへのSECS-Ⅱのサポート20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E41-95例外処理スタンダード19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E41-95例外処理スタンダード19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E41-95例外処理スタンダード20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E41.1-0996例外処理スタンダードへのSECS-IIのサポート19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E41.1-0996例外処理スタンダードへのSECS-Ⅱのサポート20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E42-95レシピ管理スタンダード:コンセプト,ビヘイビア,およびメッセージサービス19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E42-0697レシピ管理スタンダード:コンセプト,挙動,およびメッセージサービス19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E42-0299Eレシピ管理スタンダード:コンセプト,挙動,およびメッセージサービス20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E42.1-0996レシピ管理スタンダード(RMS)のためのSECS-IIプロトコルスタンダード19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E42.1-0997レシピ管理スタンダード(RMS)のためのSECS-Ⅱプロトコル スタンダード20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E43-95物体および表面の静電気測定のための推奨方法19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E43-95物体および表面の静電気測定のための推奨方法19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E43-0301オブジェクト及び表面上の静電気の電荷を測定するためのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E44-95ミニエンバイロメントの調達および受入のためのガイド19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E44-96ミニエンバイロメントの調達および受入のためのガイド19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E44-96(撤回0301)ミイエンバイロメントの調達および受入のためのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E45-95ミニエンバイロメントからの無機汚染の分析のためのテスト方法19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E45-95ミニエンバイロメントからの無機汚染の分析のためのテスト方法19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E45-0301VPD-TXRFおよびVPD-AASを使用したミニエンバイロメントからの無機汚染分析のためのテスト方法20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E46-95ミニエンバイロメントからの有機汚染のための仕様19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E46-95ミニエンバイロメントからの有機汚染のための仕様19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E46-0301イオン移動度分光計を使用したミニエンバイロメントからの有機汚染分析の仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E47-95150mm/200mm用ポッドハンドルのための仕様19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E47-95150mm/200mm用ポッドハンドルのための仕様19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E47-0301150mm/200mm用ポッドハンドルのための仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E47.1-0697300mmウエハの搬送および保管に使用されるボックスとポッドの機械仕様(暫定仕様)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E47.1-0701300mmウェーハ搬送および保管のために使用されるボックス/ポッドの暫定機械仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E48-95SMIFインデクサー用空間のための仕様19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E48-95SMIFインデクサー用空間のための仕様19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E48-0701SMIFインデクサ用空間のための仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E49-95半導体製造装置のための高純度配管システムおよび最終組立のための基準性能,手法,およびサブアセンブリのためのガイド19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E49-95半導体製造装置のための高純度配管システムおよび最終組立のための基準性能,手法,およびサブアセンブリのためのガイド19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E49-95半導体製造装置のための高純度配管システムおよび最終組立のための基準性能,手法,およびサブアセンブリのためのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.1-95ツールの最終組立,梱包および発送のためのガイド19953製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.1-95ツールの最終組立,梱包および発送のためのガイド19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.1-95ツールの最終組立,梱包および発送のためのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.2-95半導体製造装置における高純度脱イオン水および薬液供給システムのガイド19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.2-0298半導体製造装置における高純度脱イオン水および薬液供給システムのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.3-95半導体製造装置における脱イオン超純水および薬液供給システムのガイド19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.3-0298半導体製造装置における脱イオン超純水および薬液供給システムのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.4-95半導体製造装置における高純度溶剤供給システムのガイド19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.4-0298半導体製造装置における高純度溶剤供給システムのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.5-95半導体製造装置における超高純度溶剤供給システムのガイド19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.5-0298半導体製造装置における超高純度溶剤供給システムのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.6-95サブシステムアセンブリおよびテストプロシージャのガイド-ステンレススチール19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.6-95サブシステムアセンブリおよびテストプロシージャのガイド-ステンレススチール20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.7-95サブシステムアセンブリおよびテストプロシージャのガイド-ポリマーシステム19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.7-95サブシステムアセンブリおよびテストプロシージャのガイド-ポリマーシステム20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.8-96半導体製造装置における高純度ガス供給システムのガイド19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.8-0298半導体製造装置における高純度ガス供給システムのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.9-96半導体製造装置における超高純度ガス供給システムのガイド19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E49.9-0298半導体製造装置における超高純度ガス供給システムのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E50-95センサ/アクチュエータネットワーク用統合型SMIFインデクサ・アプリケーションモデル19952製造装置(ソフトウェア)
SEMI E50-95センサ/アクチュエータネットワーク用統合型SMIFインデクサ・アプリケーションモデル19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E51-95典型的な施設サービスおよび末端のマトリックス19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E51-0200一般的設備サービスおよび終端マトリクスのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E51-0200一般的設備サービスおよび終端マトリクスのガイド20014設備及び安全性
SEMI E52-95デジタルマスフローコントローラで使用されているガス参照表19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E52-1000デジタルマスフローコントローラで使用されるガス参照表20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E53-1296イベントレポート19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E53-1296イベントレポート20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E53.1-1296イベントレポートスタンダードへのSECS-IIのサポート19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E53.1-1296イベントレポートスタンダードへのSECS-Ⅱのサポート20012-1製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54-1296センサー/アクチュエータネットワーク共通デバイスモデルスタンダード19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54-0997センサ/アクチュエータネットワークスタンダード20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54.1-1000センサ/アクチュエータネットワーク共通デバイスモデル スタンダード20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54.10-0600in-situパーティクルモニターデバイスのためのセンサ/アクチュエータネットワーク特定デバイスモデル仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54.11-0301エンドポイントデバイスのための特定デバイスモデル20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54.12-0701CC-LINKのためのセンサ/アクチュエータ・ネットワーク通信に関するスタンダード20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54.2-0698センサ/アクチュエータネット枠(SAN)スタンダードバロットを書くためのガイド20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54.3-0698マスフローデバイスのためのセンサ/アクチュエータネットワーク(SAN)独自のデバイスモデルのためのスタンダード20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54.4-0997DeviceNet用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54.5-0997Smart Distributed System(SDS)用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54.6-0997LONWORKS用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54.7-0999SERIPLEX用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54.8-0999PROFIBUS-DPのためのセンサ/アクチュエータ・ネットワーク通信に関するスタンダード20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E54.9-1000TCP/IPでのMODBUS/TCPのためのセンサ/アクチュエータ・ネットワーク通信に関する仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E56-1296熱マスフローコントローラーの精度,直線性,リピータビリティ,短期再現性,ヒステリシス(履歴現象)およびデッドバンドを判断するテスト方法19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E56-1296熱マスフローコントローラの精度,直線性,リピータビリティ,短期再現性,ヒステリシス(履歴現象)およびデッドハンドを判断するテスト方法20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E57-1296300mmウエハキャリアの位置決めおよび支持のために使用されるキネマティックカップリングの機械仕様(暫定仕様)19973製造装置(ハードウェア)
SEMI E57-0600300mmウェーハキャリアの位置決めおよび支持のために使用されるキネマティックカップリングの機械仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E58-0697自動化による信頼性,有用性,および整備性に関するスタンダード(ARAMS):コンセプト,挙動,およびサービス19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E58-0301自動化による信頼性,有用性,および整備性に関するスタンダード(ARAMS):コンセプト,挙動,およびサービス20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E58.1-0697自動化による信頼性,有用性,および整備性に関するスタンダード(ARAMS):コンセプト,挙動,およびサービスのためのSECS-IIプロトコル19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E59-0697DeviceNet用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E60-0697スマート分散システム(SDS)用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E61-0697LONWORKS用センサ/アクチュエータネットワーク通信スタンダード19972製造装置(ソフトウェア)
SEMI E62-0701300mm(FIMS)フロント・オープニング・メカニカルインタフェースの暫定仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E63-0600A300mmボックス・オープナ/ローダーと装置間の機械的スタンダード(BOLTS-M)インタフェース仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E64-0600SEMI E15.1 300mmドッキング・ポートとカートとのインタフェース仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E66-0997マスフローコントローラのパーティクル発生測定のテスト方法20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E67-0997マスフローコントローラの信頼性測定のためのテスト方法20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E68-0997マスフローコントローラのウォームアップ時間測定のためのテスト方法20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E69-0298サーマルマスフローコントローラの再現性とゼロドリフトを測定するためのテスト方法20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E70-0698ツール・アコモデーションのプロセスに対するガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E72-0600300mm装置の床面積,高さ,および重量の仕様ならびにガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E73-0301真空ポンプのインタフェースの仕様-ドライポンプ20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E74-0301真空ポンプのインタフェースの仕様-ターボモレキュラーポンプ20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E75-0698(撤回0301)300mmウェーハの搬送および保管に使用されるボックス/ポッド対応装置で使用可能なウェーハカセットの機械仕様(暫定仕様)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E76-0299300mmプロセス装置を設備サービスに接続するポイントのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E76-0299300mmプロセス装置を設備サービスに接続するポイントのガイド20014設備及び安全性
SEMI E77-0998マスフローコントローラの換算率の代用ガス使用による計算方法20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E78-0998静電気的な適合性-装置のための静電気放電(ESD)と静電気吸引(ESA)の評価と制御へのガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E79-0200装置生産性の定義と測定に関するスタンダード20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E80-0299マスフローコントローラの姿勢感度(取付位置)決定の試験方法20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E80-0299マスフローコントローラの姿勢感度(取付位置)決定の試験方法20014設備及び安全性
SEMI E81-0600CIMフレームワークドメインアーキテクチャに関する暫定仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E82-0701工程間/工程内AMHS SEM仕様(IBSEM)20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E83-1000300mm PGV メカニカルドッキングフランジのための仕様書20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E84-0701エンハンストキャリア移載パラレルI/Oインタフェースの仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E84-0701エンハンストキャリア移載パラレルI/Oインタフェースの仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E85-0600ベイ間搬送システム用AMHSストッカーの共用性に関する暫定仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E86-0200CIMフレームワークファクトリー従業員コンポーネントに関する暫定仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E87-0701キャリア管理のための暫定仕様(CMS)20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E87.1-0701キャリアマネジメント(CMS)のためのSECS-Ⅱプロトコルに対する暫定仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E88-0701AMHS貯蔵SEM(ストッカーSEM)仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E89-0999測定システム能力分析に関するガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E90-0701基板トラッキング仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E90.1-0701SECS-Ⅱプロトコ-ル基盤トラッキングのための暫定仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E91-0600プローバ独自の装置モデルに関する仕様(PSEM)20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E92-0200E軽量小型の300mmボックスオープナ/ローダーとツールの互換スタンダード(BOLTS/Light)(暫定)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E93-0200CIMフレームワーク・アドバンスド・プロセス・コントロール・コンポーネントのための暫定仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E94-0701コントロールジョブマネジメントの暫定仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E95-0200半導体製造装置ヒューマインタフェースに関する仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E96-0200CIMフレームワークテクニカルアーキテクチャに関するガイド案20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E97-0200ACIMフレームワークグローバル宣言および抽象インタフェースに関する暫定仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E98-0701オブジェクトベース装置モデル(OBEM)暫定スタンダード20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E99-1000EキャリアIDリーダー/ライター機能スタンダード:コンセプト,挙動,およびサービスに関する仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E99-1000EキャリアIDリーダ/ライタ機能スタンダード:コンセプト,挙動,およびサービスに関する仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E99.1-0600キャリアIDリーダー/ライター機能規格のためのSECS-Ⅰ及びSECS-Ⅱプロトコール仕様書20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E99.1-0600キャリアIDリーダ/ライタ機能規格のためのSECS-Ⅰ及びSECS-Ⅱプロトコール仕様書20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E100-02006インチまたは230mmのレチクルの搬送および保管に用いられるレチクルSMIFポッド(RSP)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E100-02006インチまたは230mmのレチクルの搬送および保管に用いられるレチクルSMIFポッド(RSP)20015マイクロリソグラフィ
SEMI E101-1000EFEM機能構造モデルの暫定的ガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E102-0600CIMフレームワークマテリアル搬送・格納コンポーネントに関する暫定仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E103-1000FOUPをエミュレートする300mm枚葉ウェーハボックスシステム用暫定機械仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E104-0301低圧パーティクル・モニタ校正のガイドラインおよび装置組み込みのための仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E105-0701CIMフレームワークスケジューリングコンポーネントのための暫定仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E106-0301300mm物理的インタフェース及びキャリアに関するSEMIスタンダード暫定オーバービューガイド20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E107-0301歩留まり管理システムに電気的不良データを渡すためのデータフォーマットの暫定仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI E108-0301ガスクロマトグラフィ/質量分析法を使用したミニエンバイロメントからの有機汚染放出ガスを評価するための試験方法20013製造装置(ハードウェア)
SEMI E109-0701レクチルおよびポッド管理に関する暫定仕様(RPMS)20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI F1-90有毒ガス配管システムの漏洩完全防止19932設備・安全性
SEMI F1-90有毒ガス配管システムの漏洩完全防止19953設備及び安全性
SEMI F1-96高純度ガス配管系及び部品の漏れ完全性仕様19973設備及び安全性
SEMI F1-96高純度ガス配管系及び部品の漏れ完全性仕様20014設備及び安全性
SEMI F2-90半導体製造用の継ぎ目のないオーステナイト系ステンレススチール管材19932設備・安全性
SEMI F2-94一般目的の半導体製造アプリケーションに対する316Lステンレススチール管材(仕様)19953設備及び安全性
SEMI F2-94一般目的の半導体製造アプリケーションに対する316Lステンレススチール管材(仕様)19973設備及び安全性
SEMI F2-94一般目的の半導体製造アプリケーションに対する316Lステンレススチール管材(仕様)20014設備及び安全性
SEMI F3-90半導体製造に使用するステンレススチール管の溶接(ガイドライン)19932設備・安全性
SEMI F3-94半導体製造に使用するステンレススチール管の溶接に関するガイド19953設備及び安全性
SEMI F3-94半導体製造に使用するステンレススチール管の溶接に関するガイド19973設備及び安全性
SEMI F3-94半導体製造に使用するステンレススチール管の溶接に関するガイド20014設備及び安全性
SEMI F4-90遠隔駆動シリンダーバルブ(ガイドライン)19932設備・安全性
SEMI F4-90遠隔駆動シリンダーバルブ(ガイドライン)19953設備及び安全性
SEMI F4-90遠隔駆動シリンダーバルブ(ガイドライン)19973設備及び安全性
SEMI F4-1000空気圧動作シリンダバルブの仕様20014設備及び安全性
SEMI F5-90ガス状廃棄物処理(ガイドライン)19932設備・安全性
SEMI F5-90ガス状廃棄物処理(ガイドライン)19953設備及び安全性
SEMI F5-90ガス状廃棄物処理(ガイドライン)19973設備及び安全性
SEMI F5-90ガス状廃棄物処理のガイドライン20014設備及び安全性
SEMI F6-92危険ガス配管システムの二次封じ込め(ガイドライン)19932設備・安全性
SEMI F6-92危険ガス配管システムの二次封じ込め(ガイドライン)19953設備及び安全性
SEMI F6-92危険ガス配管システムの二次封じ込め(ガイドライン)19973設備及び安全性
SEMI F6-92危険ガス配管システムの二次封じ込め(ガイドライン)20014設備及び安全性
SEMI F7-92フロロカーボン製チューブフィッティング接合部の引張り強さを測定するテスト方法19932設備・安全性
SEMI F7-92フロロカーボン製チューブフィッティング接合部の引張り強さを測定するテスト方法19953設備及び安全性
SEMI F7-92フロロカーボン製チューブフィッティング接合部の引張り強さを測定するテスト方法19973設備及び安全性
SEMI F7-92(Reapproved0299)フロロカーボン製チューブフィッティング接合部の引張り強さを測定するテスト方法20014設備及び安全性
SEMI F8-92引張り力を受けた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部のシール能力を評価するテスト方法19932設備・安全性
SEMI F8-92引張り力を受けた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部のシール能力を評価するテスト方法19953設備及び安全性
SEMI F8-92引張り力を受けた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部のシール能力を評価するテスト方法19973設備及び安全性
SEMI F8-0998引張り力を受けた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部のシール能力を評価する試験方法20014設備及び安全性
SEMI F9-92サイドロード状態に置かれた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部の漏洩特性を測定するテスト方法19932設備・安全性
SEMI F9-92サイドロード状態に置かれた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部の漏洩特性を測定するテスト方法19953設備及び安全性
SEMI F9-92サイドロード状態に置かれた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部の漏洩特性を測定するテスト方法19973設備及び安全性
SEMI F9-0998サイドロード状態に置かれた場合のフロロカーボン製チューブフィッティング接合部の漏洩特性を測定する試験方法20014設備及び安全性
SEMI F10-93ふっ素樹脂製チューブフィッティングに損傷を生じさせるに必要な内部圧力を決定するためのテスト方法19932設備・安全性
SEMI F10-93ふっ素樹脂製チューブフィッティングに損傷を生じさせるに必要な内部圧力を決定するためのテスト方法19953設備及び安全性
SEMI F10-93ふっ素樹脂製チューブフィッティングに損傷を生じさせるのに必要な内部圧力を決定するためのテスト方法19973設備及び安全性
SEMI F10-0698フッ素樹脂製チューブフィッティングに損傷を生じさせるのに必要な内部圧力を決定するためのテスト方法20014設備及び安全性
SEMI F11-93ふっ素樹脂製チューブフィッティングの熱的特性指標を得るためのテスト方法19932設備・安全性
SEMI F11-93ふっ素樹脂製チューブフィッティングの熱的特性指標を得るためのテスト方法19953設備及び安全性
SEMI F11-93ふっ素樹脂製チューブフィッティング熱的特性指標を得るためのテスト方法19973設備及び安全性
SEMI F11-0998フッ素樹脂製チューブフィッティングの熱的特性指標を得るための試験方法20014設備及び安全性
SEMI F12-93フッ素樹脂製フィッティングの熱サイクル負荷後のシール性能決定の試験方法19932設備・安全性
SEMI F12-93フッ素樹脂製フィッティングの熱サイクル負荷後のシール性能決定の試験方法19953設備及び安全性
SEMI F12-93フッ素樹脂製フィッティングの熱サイクル負荷後のシール性能決定の試験方法19973設備及び安全性
SEMI F12-0998フッ素樹脂製フィッティングの熱サイクル負荷後のシール性能決定の試験方法20014設備及び安全性
SEMI F13-93ガス供給制御装置のための指針19932設備・安全性
SEMI F13-93ガス供給制御装置のための指針19953設備及び安全性
SEMI F13-93ガス供給制御装置のための指針19973設備及び安全性
SEMI F13-93ガス供給制御装置のためのガイド20014設備及び安全性
SEMI F14-93ガス供給装置筐体の設計指針19932設備・安全性
SEMI F14-93ガス供給装置筐体の設計指針19953設備及び安全性
SEMI F14-93ガス供給装置筐体の設計指針19973設備及び安全性
SEMI F14-93(Reapproved0699)ガス供給装置筐体の設計ガイド20014設備及び安全性
SEMI F15-93六フッ化硫黄のトレーサーガスとガスクロマトグラフを使う筐体(囲い込み構造体)の試験方法19932設備・安全性
SEMI F15-93六ふっ化硫黄のトレーサーガスとガスクロマトグラフを使う筐体(囲い込み構造体)の試験方法19953設備及び安全性
SEMI F15-93六ふっ化硫黄のトレーサーガスとガスクロマトグラフを使う筐体(囲い込み構造体)の試験方法19973設備及び安全性
SEMI F15-93(Reapproved0699)六フッ化硫黄のトレーサガスとガスクロマトグラフを使う筐体(囲い込み構造体)の試験方法20014設備及び安全性
SEMI F16-94高純度半導体製造用途の316Lステンレス鋼配管の表面仕上げと電解研磨に関する仕様19953設備及び安全性
SEMI F16-94高純度半導体製造用途の316Lステンレス鋼配管の表面仕上げと電解研磨に関する仕様19973設備及び安全性
SEMI F16-94高純度半導体製造用途の316Lステンレス鋼配管の表面仕上げと電解研磨に関する仕様20014設備及び安全性
SEMI F17-95高純度品質電解研磨した316Lステンレス鋼チューブ,コンポーネントチューブスタブ,及びチューブから製造した継手の仕様19953設備及び安全性
SEMI F17-95高純度品質電解研磨した316Lステンレス鋼チューブ,コンポーネントチューブスタブ,及びチューブから製造した継手の仕様19973設備及び安全性
SEMI F17-95高純度品質電解研磨した316Lステンレス鋼チューブ,コンポーネントチューブスタブ,及びチューブから製造した継手の仕様20014設備及び安全性
SEMI F18-95熱可塑性パイプ及びチューブの耐水圧強度と設計ベースを決定するためのガイド19953設備及び安全性
SEMI F18-95熱可塑性パイプ及びチューブの耐水圧強度と設計ベースを決定するためのガイド19973設備及び安全性
SEMI F18-95熱可塑性パイプ及びチューブの耐水圧強度と設計ベースを決定するためのガイド20014設備及び安全性
SEMI F19-95化学的に研磨した316Lステンレススチール部品の最終記述19953設備及び安全性
SEMI F19-95化学的に研磨した316Lステンレススチール部品の最終記述19973設備及び安全性
SEMI F19-95電解研磨した316Lステンレススチール部品の最終記述20014設備及び安全性
SEMI F20-95高純度半導体製造アプリケーションで使用されるコンポーネント用の316Lステンレススチールバー,押し出し成形品,およびプレート(仕様)19953設備及び安全性
SEMI F20-95高純度半導体製造アプリケーションで使用されるコンポーネント用の316Lステンレススチールバー,押し出し成形品,およびプレート(仕様)19973設備及び安全性
SEMI F20-0997高純度半導体製造アプリケーションで使用されるコンポーネント用の316Lステンレススチールバー,押し出し成形品,プレート,およびインベストメント鋳造品の仕様20014設備及び安全性
SEMI F21-95清浄な環境における空気を媒体とする分子汚染レベルの分類19973設備及び安全性
SEMI F21-95清潔な環境における空気を媒体とする分子汚染レベルの分類20014設備及び安全性
SEMI F22-0697ガス供給システムガイド19973設備及び安全性
SEMI F22-0697ガス供給システムガイド20014設備及び安全性
SEMI F23-0697グレード10/0.2引火性特殊ガスの粒子に関する仕様19973設備及び安全性
SEMI F23-0697グレード10/0.2引火性特殊ガスの粒子に関する仕様20014設備及び安全性
SEMI F24-0697グレード10/0.2不活性特殊ガスの粒子に関する仕様19973設備及び安全性
SEMI F24-0697グレード10/0.2不活性特殊ガスの粒子に関する仕様20014設備及び安全性
SEMI F25-0697グレード10/0.2酸化体特殊ガスの粒子に関する仕様19973設備及び安全性
SEMI F25-0697グレード10/0.2酸化体特殊ガスの粒子に関する仕様20014設備及び安全性
SEMI F26-0697グレード10/0.2有機特殊ガスの粒子に関する仕様19973設備及び安全性
SEMI F26-0697グレード10/0.2有毒特殊ガスの粒子に関する仕様20014設備及び安全性
SEMI F27-0997ガス配分システム及び部品の水分相互作用及び含有量の大気圧電離質量分析(APIMS)による,テスト方法20014設備及び安全性
SEMI F28-0997プロセスパネルからのパーティクル発生を測定するテスト方法20014設備及び安全性
SEMI F29-0997ガスソースシステムパネルのパージ効果のテスト方法20014設備及び安全性
SEMI F30-0298据付現場における微量ガス不純物及びパーティクルに関する精製器性能テストの始動及び検証20014設備及び安全性
SEMI F31-0698バルク化学薬品配分システムのガイド20014設備及び安全性
SEMI F32-0998高純度遮断バルブの容量係数を求めるための試験方法20013製造装置(ハードウェア)
SEMI F32-0998高純度遮断バルブの容量係数を求めるための試験方法20014設備及び安全性
SEMI F33-0998気圧イオン化質量分析計(APIMS)の校正方法20014設備及び安全性
SEMI F34-0998液体化学薬品配管ラベリングに関するガイド20014設備及び安全性
SEMI F35-0998非浸入式酸素測定を使用した超高純度ガス分配システムの安全性を確認するための試験方法20014設備及び安全性
SEMI F36-0299ガス分配部品の寸法と接続に関するガイド20014設備及び安全性
SEMI F37-0299ガス供給システム構成部品の表面粗さパラメータの算出方法20014設備及び安全性
SEMI F38-0699ユースポイントガスフィルタの効率資格付けを目的とした試験方法20014設備及び安全性
SEMI F39-0699化学薬品混合システムに関するガイドライン20014設備及び安全性
SEMI F40-0699化学試験のための薬液分配部品の準備についての作業方法20014設備及び安全性
SEMI F41-0699半導体プロセスで使用されるバルク化学薬品分配システムの検定に関するガイド20014設備及び安全性
SEMI F42-0600半導体プロセス装置の電圧サグに対する感受率の試験方法20013製造装置(ハードウェア)
SEMI F42-0600半導体プロセス装置の電圧サグに対する感受率の試験方法20014設備及び安全性
SEMI F43-0699ユースポイント精製器によるパーティクル寄与度を定量するための試験方法20014設備及び安全性
SEMI F44-0699機械加工されたステンレス鋼製溶接継手の標準化に関するガイドライン20014設備及び安全性
SEMI F45-0699機械加工されたステンレス鋼製異径溶接継手の標準化に関するガイドライン20014設備及び安全性
SEMI F46-0999現場化学薬品調製(OSCG)システムに関するガイド20014設備及び安全性
SEMI F47-0200半導体プロセス装置電圧サグイミュニティのための仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI F47-0200半導体プロセス装置電圧サグイミュニティのための仕様20014設備及び安全性
SEMI F48-0600高分子材料中の微量金属を検出するための試験方法20014設備及び安全性
SEMI F49-0200半導体工場システムの電圧サグイミュニティに関するガイド20014設備及び安全性
SEMI F50-0200半導体工場の電気ユーティリティ電圧サグ性能に関するガイド20014設備及び安全性
SEMI F51-0200エラストメトリックシーリング技術に関するガイド20014設備及び安全性
SEMI F52-0600半導体及び液晶製造の薬液供給システム用メトリックPFAチューブの寸法仕様20014設備及び安全性
SEMI F53-0600サーマル・マスフローコントローラの電磁感受性評価の試験方法20014設備及び安全性
SEMI F54-1000凝縮核カウンタの計数効率を測定するための試験方法20014設備及び安全性
SEMI F55-0600マスフローコントローラの耐腐食性を求めるための試験方法20014設備及び安全性
SEMI F56-0600マスフローコントローラの定常供給電圧の影響を測定するための試験方法20014設備及び安全性
SEMI F57-0301超純粋及び液体化学薬品配分システム内に使用するポリマー製部品の暫定仕様20014設備及び安全性
SEMI F58-1000大気圧イオン化質量分析計(APIMS)による表面実装及び一般的ガス配分システムの水分ドライダウン特性測定のためのテスト方法20014設備及び安全性
SEMI F59-1000ガス供給システム部品のフィルタ流圧力損失曲線決定のための試験方法20014設備及び安全性
SEMI F60-0301不動態化した316Lステンレス・スチール部品の接ガス表面の組成をESCAにより評価する試験方法20014設備及び安全性
SEMI F61-0301半導体プロセスに使用する超純水システムに対するガイド20014設備及び安全性
SEMI F62-0701周囲及びガス温度の影響からマスフローコントローラ性能特性を決定する試験方法20014設備及び安全性
SEMI F63-0701半導体処理に使用する超純水に対するガイドライン20014設備及び安全性
SEMI F64-0701マスフローコントローラの指示及び実流量に対する圧力影響を測定する試験方法20014設備及び安全性
SEMI G1-85仕様 Cer-DIPパッケージのベース及びキャップ19933パッケージング
SEMI G1-85仕様 Cer-DIPパッケージのベース及びキャップ19954パッケージング
SEMI G1-96仕様 Cer-DIP パッケージ構造19974パッケージング
SEMI G1-96仕様 Cer-DIPパッケージ構造20015パッケージング
SEMI G2-87仕様 Cer-DIPパッケージ用金属リードフレーム19933パッケージング
SEMI G2-94CER-DIPパッケージ用金属リードフレームの仕様19954パッケージング
SEMI G2-94CER-DIP パッケージ用金属リードフレームの仕様19974パッケージング
SEMI G2-94CER-DIPパッケージ用金属リードフレームの仕様20015パッケージング
SEMI G3-90仕様 側面ろう付け積層板19933パッケージング
SEMI G3-90仕様 側面ろう付け積層板19954パッケージング
SEMI G3-90仕様 側面ろう付け積層板19974パッケージング
SEMI G3-90仕様 側面ろう付け積層板20015パッケージング
SEMI G4-89仕様 スタンピングによるIC用リードフレーム素材19933パッケージング
SEMI G4-94スタンピングリードフレーム製品で使用されるICリードフレーム材料の仕様19954パッケージング
SEMI G4-94スタンピングリードフレーム製品で使用されるICリードフレーム材料の仕様19974パッケージング
SEMI G4-94スタンピングリードフレーム製品で使用されるICリードフレーム材料の仕様20015パッケージング
SEMI G5-87仕様 セラミックチップキャリア(CCC)19933パッケージング
SEMI G5-87仕様 セラミックチップキャリア(CCC)19954パッケージング
SEMI G5-87仕様 セラミックチップキャリア(CCC)19974パッケージング
SEMI G5-87仕様 セラミックチップキャリア(CCC)20015パッケージング
SEMI G6-89検査方法 封止リング平坦度19933パッケージング
SEMI G6-89検査方法 封止リング平坦度19954パッケージング
SEMI G6-89検査方法 封止リング平坦度19974パッケージング
SEMI G6-89検査方法 封止リング平坦度20015パッケージング
SEMI G8-83検査方法 金めっきの品質19933パッケージング
SEMI G8-94試験方法 金めっき19954パッケージング
SEMI G8-94試験方法 金めっき19974パッケージング
SEMI G8-94試験方法 金めっき20015パッケージング
SEMI G9-89仕様 スタンピングによる半導体プラスチックDIPパッケージ用リードフレーム19933パッケージング
SEMI G9-89仕様 スタンピングによる半導体プラスチックDIPパッケージ用リードフレーム19954パッケージング
SEMI G9-89仕様 スタンピングによる半導体プラスチックDIPパッケージ用リードフレーム19974パッケージング
SEMI G9-89仕様 スタンピングによる半導体プラスチックDIPパッケージ用リードフレーム20015パッケージング
SEMI G10-86標準測定方法 プラスチックパッケージリードフレームの機械的測定方法19933パッケージング
SEMI G10-86標準測定方法 プラスチックパッケージリードフレームの機械的測定方法19954パッケージング
SEMI G10-96標準測定方法 プラスチックパッケージリードフレームの機械的測定方法19974パッケージング
SEMI G10-96標準測定方法 プラスチックパッケージリードフレームの機械的測定方法20015パッケージング
SEMI G11-88測定方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのラムフォロワー装置によるゲル化時間及びスパイラルフローの測定19933パッケージング
SEMI G11-88測定方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのラムフォロワー装置によるゲル化時間及びスパイラルフローの測定19954パッケージング
SEMI G11-88測定方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのラムフォロワー装置によるゲル化時間及びスパイラルフローの測定19974パッケージング
SEMI G11-88測定方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのラムフォロワー装置によるゲル化時間及びスパイラルフローの測定20015パッケージング
SEMI G12-82測定方法 電子デバイスに使用される樹脂材のイオン物質の水抽出法19933パッケージング
SEMI G12-82測定方法 電子デバイスに使用される樹脂材のイオン物質の水抽出法19954パッケージング
SEMI G13-88標準測定方法 モールディングコンパウンドの膨張特性19933パッケージング
SEMI G13-88標準測定方法 モールディングコンパウンドの膨張特性19954パッケージング
SEMI G13-88標準測定方法 モールディングコンパウンドの膨張特性19974パッケージング
SEMI G13-88標準測定方法 モールディングコンパウンドの膨張特性20015パッケージング
SEMI G14-88ガイドライン 工具製造用プラスチックモールドDIPパッケージの寸法及び公差19933パッケージング
SEMI G14-88ガイドライン 工具製造用プラスチックモールドDIPパッケージの寸法及び公差19954パッケージング
SEMI G14-88ガイドライン 工具製造用プラスチックモールドDIPパッケージの寸法及び公差19974パッケージング
SEMI G14-88ガイドライン 工具製造用プラスチックモールドDIPパッケージの寸法及び公差20015パッケージング
SEMI G15-93試験方法 モールディングコンパウンド示差走査熱量分析19933パッケージング
SEMI G15-93試験方法 モールディングコンパウンド示差走査熱量分析19954パッケージング
SEMI G15-93試験方法 モールディングコンパウンド示差走査熱量分析19974パッケージング
SEMI G15-93試験方法 モールディングコンパウンド示差走査熱量分析20015パッケージング
SEMI G16-88仕様 工具製造用プラスチックモールドPLCCパッケージの工具の寸法及び公差19933パッケージング
SEMI G16-88仕様 工具製造用プラスチックモールドPLCCパッケージの工具の寸法及び公差19954パッケージング
SEMI G16-88仕様 工具製造用プラスチックモールドPLCCパッケージの工具の寸法及び公差19974パッケージング
SEMI G16-88仕様 工具製造用プラスチックモールドPLCCパッケージの工具の寸法及び公差20015パッケージング
SEMI G18-86仕様 エッチングリードフレームの製造に使用する集積回路用リードフレーム材料19933パッケージング
SEMI G18-86仕様 エッチングリードフレームの製造に使用する集積回路用リードフレーム材料19954パッケージング
SEMI G18-96スタンダード エッチングリードフレームの製造に使用する集積回路用リードフレーム材料19974パッケージング
SEMI G18-96スタンダード エッチングリードフレームの製造に使用する集積回路用リードフレーム材料20015パッケージング
SEMI G19-84仕様 エッチングにより製造されるDIPリードフレーム19933パッケージング
SEMI G19-84仕様 エッチングにより製造されるDIPリードフレーム19954パッケージング
SEMI G19-84仕様 エッチングにより製造されるDIPリードフレーム19974パッケージング
SEMI G19-0997仕様 エッチングにより製造されるDIPリードフレーム20015パッケージング
SEMI G20-84仕様 樹脂材パッケージのリード仕上げ(能動デバイス用)19933パッケージング
SEMI G20-84仕様 樹脂材パッケージのリード仕上げ(能動デバイス用)19954パッケージング
SEMI G20-96仕様 樹脂材パッケージのリード仕上げ(能動デバイス用)19974パッケージング
SEMI G20-96仕様 樹脂材パッケージのリード仕上げ(能動デバイス用)20015パッケージング
SEMI G21-84仕様 ICリードフレームのめっき19933パッケージング
SEMI G21-94ICリードフレームのめっきの仕様19954パッケージング
SEMI G21-94ICリードフレームのめっきの仕様19974パッケージング
SEMI G21-94ICリードフレームのめっきの仕様20015パッケージング
SEMI G22-86仕様 セラミックピングリッドアレイ(PGA)パッケージ19933パッケージング
SEMI G22-86仕様 セラミックピングリッドアレイ(PGA)パッケージ19954パッケージング
SEMI G22-1296仕様 セラミックピングリッドアレイ(PGA)パッケージ19974パッケージング
SEMI G22-1296仕様 セラミックピングリッドアレイ(PGA)パッケージ20015パッケージング
SEMI G23-89試験方法 パッケージリードのインダクタンスの測定法19933パッケージング
SEMI G23-89試験方法 パッケージリードのインダクタンスの測定法19954パッケージング
SEMI G23-0996試験方法 半導体パッケージの内部導体路のインダクタンス19974パッケージング
SEMI G23-0996試験方法 半導体パッケージの内部導体路のインダクタンス20015パッケージング
SEMI G24-89試験方法 パッケージ・リード間の要領及び付加容量の測定法19933パッケージング
SEMI G24-89試験方法 パッケージ・リード間の容量及び付加容量の測定法19954パッケージング
SEMI G24-89試験方法 パッケージ・リード間の容量及び付加容量の測定法 *19974パッケージング
SEMI G24-89試験方法 パッケージ・リード間の容量及び付加容量の測定法20015パッケージング
SEMI G25-89試験方法 パッケージ・リード抵抗の測定法19933パッケージング
SEMI G25-89試験方法 パッケージ・リード抵抗の測定法19954パッケージング
SEMI G25-89試験方法 パッケージ・リード抵抗の測定法19974パッケージング
SEMI G25-89試験方法 パッケージ・リード抵抗の測定法20015パッケージング
SEMI G26-90仕様 機密性SLAMチップキャリヤの蓋19933パッケージング
SEMI G26-90仕様 気密性SLAMチップキャリヤの蓋19954パッケージング
SEMI G26-90仕様 気密性SLAMチップキャリヤの蓋19974パッケージング
SEMI G26-90仕様 気密性SLAMチップキャリヤの蓋20015パッケージング
SEMI G27-89仕様 プラスチックリードチップキャリヤ(PLCC)パッケージ用リードフレーム19933パッケージング
SEMI G27-89仕様 プラスチックリードチップキャリア(PLCC)パッケージ用リードフレーム19954パッケージング
SEMI G27-89仕様 プラスチックリードチップキャリア(PLCC)パッケージ用リードフレーム19974パッケージング
SEMI G27-89仕様 プラスチックリードチップキャリア(PLCC)パッケージ用リードフレーム20015パッケージング
SEMI G28-86仕様 プラスチックモールドSOパッケージのリードフレーム19933パッケージング
SEMI G28-86仕様 プラスチックモールドSOパッケージのリードフレーム19954パッケージング
SEMI G28-86仕様 プラスチックモールドSOパッケージのリードフレーム19974パッケージング
SEMI G28-0997プラスチックモールドS.O..パッケージのリードフレームのための仕様20015パッケージング
SEMI G29-86試験方法 モールディングコンパウンド中の微量異物検査法19933パッケージング
SEMI G29-86試験方法 モールディングコンパウンド中の微量異物検査法19954パッケージング
SEMI G29-1296試験方法 モールディングコンパウンド中の微量異物検査法19974パッケージング
SEMI G29-1296試験方法 モールディングコンパウンド中の微量異物検査法20015パッケージング
SEMI G30-88試験方法 セラミックパッケージのジャンクションとケース間の熱抵抗測定法19933パッケージング
SEMI G30-88試験方法 セラミックパッケージのジャンクションとケース間の熱抵抗測定法19954パッケージング
SEMI G30-88試験方法 セラミックパッケージのジャンクションとケース間の熱抵抗測定法19974パッケージング
SEMI G30-88試験方法 セラミックパッケージのジャンクションとケース間の熱抵抗測定法20015パッケージング
SEMI G31-86試験法 モールディングコンパウンドの研磨特性の測定法19933パッケージング
SEMI G31-86試験法 モールディングコンパウンドの研摩特性の測定法19954パッケージング
SEMI G31-86試験法 モールディングコンパウンドの研摩特性の測定法19974パッケージング
SEMI G31-0997モールディングコンパウンドの磨耗特性を測定するためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G32-86ガイドライン カプセルなし熱抵抗測定用チップ19933パッケージング
SEMI G32-94カプセルなし熱抵抗測定用チップのガイドライン19954パッケージング
SEMI G32-94カプセルなし熱抵抗測定用チップのガイドライン19974パッケージング
SEMI G32-94カプセルなし熱抵抗測定用チップのガイドライン20015パッケージング
SEMI G33-90仕様 プレスセラミックピングリッドアレイ(CPGA)パッケージ19933パッケージング
SEMI G33-90仕様 プレスセラミックピングリッドアレイ(CPGA)パッケージ19954パッケージング
SEMI G33-90仕様 プレスセラミックピングリッドアレイ(CPGA)パッケージ19974パッケージング
SEMI G33-90仕様 プレスセラミックピングリッドアレイ(CPGA)パッケージ20015パッケージング
SEMI G34-89仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含んだCER-PACKパッケージ構造19933パッケージング
SEMI G34-89仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含んだCER-PACKパッケージ構造19954パッケージング
SEMI G34-89仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含んだCER-PACKパッケージ構造19974パッケージング
SEMI G34-89仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含んだCER-PACKパッケージ構造20015パッケージング
SEMI G35-87仕様 半導体(能動)デバイスのリード仕上げに関する検査方法19933パッケージング
SEMI G35-87仕様 半導体(能動)デバイスのリード仕上げに関する検査方法19954パッケージング
SEMI G35-87仕様 半導体(能動)デバイスのリード仕上げに関する検査方法19974パッケージング
SEMI G35-87仕様 半導体(能動)デバイスのリード仕上げに関する検査方法20015パッケージング
SEMI G36-88仕様 工具製造用プラスチックモールド高密度TABパッケージの寸法及び公差19933パッケージング
SEMI G36-88仕様 工具製造用プラスチックモールド高密度TABパッケージの寸法及び公差19954パッケージング
SEMI G36-88仕様 工具製造用プラスチックモールド高密度TABパッケージの寸法及び公差19974パッケージング
SEMI G36-88仕様 工具製造用プラスチックモールド高密度TABパッケージの寸法及び公差20015パッケージング
SEMI G37-88仕様 工具製造用プラスチックモールドSOPパッケージの寸法及び公差19933パッケージング
SEMI G37-88仕様 工具製造用プラスチックモールドSOPパッケージの寸法及び公差19954パッケージング
SEMI G37-88仕様 工具製造用プラスチックモールドSOPパッケージの寸法及び公差19974パッケージング
SEMI G37-88仕様 工具製造用プラスチックモールドSOPパッケージの寸法及び公差20015パッケージング
SEMI G38-87試験方法 静止空気および強制風冷によるICパッケージのジャンクション部周囲間の熱抵抗測定法19933パッケージング
SEMI G38-87試験方法 静止空気および強制風冷によるICパッケージのジャンクション部周囲間の熱抵抗測定法19954パッケージング
SEMI G38-0996試験方法 静止空気および強制風冷によるICパッケージのジャンクション部周囲間の熱抵抗測定法19974パッケージング
SEMI G38-0996試験方法 静止空気および強制風冷によるICパッケージのジャンクション部周囲間の熱抵抗測定法20015パッケージング
SEMI G39-89仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含むろう付けリード・フラットパッケージ構造19933パッケージング
SEMI G39-89仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含むろう付けリード・フラットパッケージ構造19954パッケージング
SEMI G39-89仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含むろう付けリード・フラットパッケージ構造19974パッケージング
SEMI G39-89仕様 自動アセンブリ用のリードフレームを含むろう付けリード・フラットパッケージ構造20015パッケージング
SEMI G41-87仕様 デュアルストリップSOIC用リードフレーム19933パッケージング
SEMI G41-87仕様 デュアルストリップSOIC用リードフレーム19954パッケージング
SEMI G41-87仕様 デュアルストリップSOIC用リードフレーム19974パッケージング
SEMI G41-87仕様 デュアルストリップSOIC用リードフレーム20015パッケージング
SEMI G42-88仕様 半導体パッケージのジャンクションと周囲間熱抵抗測定用熱試験基板の標準19933パッケージング
SEMI G42-88仕様 半導体パッケージのジャンクションと周囲間熱抵抗測定用熱試験基板の標準19954パッケージング
SEMI G42-0996仕様 半導体パッケージのジャンクション部と周囲間の熱抵抗測定用熱試験基板19974パッケージング
SEMI G42-0996仕様 半導体パッケージのジャンクション部と周囲間の熱抵抗測定用熱試験基板20015パッケージング
SEMI G43-87仕様 プラスチックモールドパッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定法19933パッケージング
SEMI G43-87仕様 プラスチックモールドパッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定法19954パッケージング
SEMI G43-87仕様 プラスチックモールドパッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定法19974パッケージング
SEMI G43-87仕様 プラスチックモールドパッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定法20015パッケージング
SEMI G44-87仕様 ガラス/メタル封止・セラミックパッケージのリード仕上げ(能動デバイスのみ)19933パッケージング
SEMI G44-94ガラス/メタル封止セラミックパッケージ(能動デバイスのみ)リード仕上げの仕様19954パッケージング
SEMI G44-94ガラス/メタル封止セラミックパッケージ(能動デバイスのみ)リード仕上げの仕様19974パッケージング
SEMI G44-94ガラス/メタル封止セラミックパッケージ(能動デバイスのみ)リード仕上げの仕様20015パッケージング
SEMI G45-93試験方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのフラッシュ特性19933パッケージング
SEMI G45-93試験方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのフラッシュ特性19954パッケージング
SEMI G45-93試験方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのフラッシュ特性19974パッケージング
SEMI G45-93試験方法 熱硬化性モールディングコンパウンドのフラッシュ特性20015パッケージング
SEMI G46-88試験方法 集積回路素子取付け評価用熱過渡試験19933パッケージング
SEMI G46-88試験方法 集積回路素子取付け評価用熱過渡試験19954パッケージング
SEMI G46-88試験方法 集積回路素子取付け評価用熱過渡試験19974パッケージング
SEMI G46-88試験方法 集積回路素子取付け評価用熱過渡試験20015パッケージング
SEMI G47-88仕様 プラスチックモールドクァッドフラットパックリードフレーム19933パッケージング
SEMI G47-88仕様 プラスチックモールドクァッドフラットパックリードフレーム19954パッケージング
SEMI G47-88仕様 プラスチックモールドクァッドフラットパックリードフレーム19974パッケージング
SEMI G47-88仕様 プラスチックモールドクァッドフラットパックリードフレーム20015パッケージング
SEMI G48-89仕様 モールドプラスチックパッケージ製造工具用測定方法19933パッケージング
SEMI G48-89仕様 モールドプラスチックパッケージ製造工具用測定方法19954パッケージング
SEMI G48-89仕様 モールドプラスチックパッケージ製造工具用測定方法19974パッケージング
SEMI G48-89仕様 モールドプラスチックパッケージ製造工具用測定方法20015パッケージング
SEMI G49-93仕様 モールディングコンパウンドのタブレット19933パッケージング
SEMI G49-93仕様 モールディングコンパウンドのタブレット19954パッケージング
SEMI G49-93仕様 モールディングコンパウンドのタブレット19974パッケージング
SEMI G49-93仕様 モールディングコンパウンドのタブレット20015パッケージング
SEMI G50-89仕様 Co-firedセラミック・ファインピッチキャリヤー・パッケージの構造(リードおよびリードレス)19933パッケージング
SEMI G50-89仕様 Co-firedセラミック・ファインピッチキャリヤ-・パッケージの構造(リードおよびリードレス)19954パッケージング
SEMI G50-89仕様 Co-firedセラミック・ファインピッチキャリヤー・パッケージの構造(リードおよびリードレス)19974パッケージング
SEMI G50-89仕様 Co-firedセラミック・ファインピッチキャリヤー・パッケージの構造(リードおよびリードレス)20015パッケージング
SEMI G51-90仕様 プラスチックモールド・クアッドフラットパック・リードフレーム19933パッケージング
SEMI G51-90仕様 プラスチックモールド・クァッドフラットパック・リードフレーム19954パッケージング
SEMI G51-90仕様 プラスチックモールド・クアッドフラットパック・リードフレーム19974パッケージング
SEMI G51-90仕様 プラスチックモールド・クアッドフラットパック・リードフレーム20015パッケージング
SEMI G52-90標準試験方法(案) 半導体リードフレームのイオン汚染物の測定19933パッケージング
SEMI G52-90標準試験方法(案) 半導体リードフレームのイオン汚染物の測定19954パッケージング
SEMI G52-90標準試験方法(案) 半導体リードフレームのイオン汚染物の測定19974パッケージング
SEMI G52-90標準試験方法(案) 半導体リードフレームのイオン汚染物の測定20015パッケージング
SEMI G53-92仕様 金属リッド・プリフォームアセンブリー19933パッケージング
SEMI G53-92仕様 金属リッド・プリフォームアセンブリー19954パッケージング
SEMI G53-92仕様 金属リッド・プリフォームアセンブリー19974パッケージング
SEMI G53-92仕様 金属リッド・プリフォームアセンブリー20015パッケージング
SEMI G54-93仕様 樹脂封止パッケージ製造用の寸法及び公差19933パッケージング
SEMI G54-93仕様 樹脂封止パッケージ製造用の寸法及び公差19954パッケージング
SEMI G54-93仕様 樹脂封止パッケージ製造用の寸法及び公差19974パッケージング
SEMI G54-93仕様 樹脂封止パッケージ製造用の寸法及び公差20015パッケージング
SEMI G55-93試験方法 リードフレーム銀めっき光沢度の測定方法19933パッケージング
SEMI G55-93試験方法 リードフレーム銀めっき光沢度の測定方法19954パッケージング
SEMI G55-93試験方法 リードフレーム銀めっき光沢度の測定方法19974パッケージング
SEMI G55-93試験方法 リードフレーム銀めっき光沢度の測定方法20015パッケージング
SEMI G56-93試験方法 リードフレーム銀めっき厚さの測定方法19933パッケージング
SEMI G56-93試験方法 リードフレーム銀めっき厚さの測定方法19954パッケージング
SEMI G56-93試験方法 リードフレーム銀めっき厚さの測定方法19974パッケージング
SEMI G56-93試験方法 リードフレーム銀めっき厚さの測定方法20015パッケージング
SEMI G57-93ガイドライン リードフレーム各部名称の標準19933パッケージング
SEMI G57-93ガイドライン リードフレーム各部名称の標準19954パッケージング
SEMI G57-93ガイドライン リードフレーム各部名称の標準19974パッケージング
SEMI G57-93ガイドライン リードフレーム各部名称の標準20015パッケージング
SEMI G58-94CERQUADパッケージ構造の仕様19954パッケージング
SEMI G58-94CERQUADパッケージ構造の仕様19974パッケージング
SEMI G58-94CERQUADパッケージ構造の仕様20015パッケージング
SEMI G59-94試験方法:リードフレーム挿間紙上のイオン汚染物および挿間紙からリードフレームに移る汚染物の測定19954パッケージング
SEMI G59-94試験方法:リードフレーム挿間紙上のイオン汚染物および挿間紙からリードフレームに移る汚染物の測定19974パッケージング
SEMI G59-94試験方法 リードフレーム挿間紙上のイオン汚染物および挿間紙からリードフレームに移る汚染物の測定20015パッケージング
SEMI G60-94試験方法:半導体リードフレーム挿間紙材料の静電特性の測定19954パッケージング
SEMI G60-94試験方法:半導体リードフレーム挿間紙材料の静電特性の測定19974パッケージング
SEMI G60-94試験方法 半導体リードフレーム挿間紙材料の静電特性の測定20015パッケージング
SEMI G61-94焼成セラミックパッケージの仕様19954パッケージング
SEMI G61-94焼成セラミックパッケージの仕様19974パッケージング
SEMI G61-94焼成セラミックパッケージの仕様20015パッケージング
SEMI G62-95試験方法 銀めっき19974パッケージング
SEMI G62-95試験方法 銀めっき20015パッケージング
SEMI G63-95試験方法 ダイ剪断強度の測定19974パッケージング
SEMI G63-95試験方法 ダイ剪段強度の測定20015パッケージング
SEMI G64-96仕様 全面めっきIC用リードフレーム(金,銀,銅,ニッケル,パラジウム/ニッケル,及びパラジウム)19974パッケージング
SEMI G64-96仕様 全面めっきIC用リードフレーム(金,銀,銅,ニッケル,パラジウム/ニッケル,及びパラジウム)20015パッケージング
SEMI G65-96試験方法 Lリード(ガルウイング型)パッケージ用リードフレーム材料の評価19974パッケージング
SEMI G65-96試験方法 Lリード(ガルウイング型)パッケージ用リードフレーム材料の評価20015パッケージング
SEMI G66-96試験方法 半導体用プラスチックモールディングコンパウンドの吸湿特性の測定19974パッケージング
SEMI G66-96試験方法 半導体用プラスチックモールディングコンパウンドの吸湿特性の測定20015パッケージング
SEMI G67-0996試験方法 シート材料から発生する粒子の測定19974パッケージング
SEMI G67-0996試験方法 シート材料から発生する粒子の測定20015パッケージング
SEMI G68-0996試験方法 空気環境における半導体パッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定19974パッケージング
SEMI G68-0996試験方法 空気環境における半導体パッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗測定20015パッケージング
SEMI G69-0996試験方法 リードフレームとモールディングコンパウンド間の接着強度の測定19974パッケージング
SEMI G69-0996試験方法 リードフレームとモールディングコンパウンド間の接着強度の測定20015パッケージング
SEMI G70-0996プラスチックパッケージリードフレーム測定用装置とリードフレーム支持具スタンダード19974パッケージング
SEMI G70-0996プラスチックパッケージリードフレーム測定用装置とリードフレーム支持具スタンダード20015パッケージング
SEMI G71-0996パッケージング材料の中間容器のバーコードマーキング仕様19974パッケージング
SEMI G71-0996パッケージング材料の中間容器のバーコードマーキング仕様20015パッケージング
SEMI G71-0996パッケージング材料の中間容器のバーコードマーキング仕様20016トレーサビリティ
SEMI G72-0997ボールグリッドアレイ設計ライブラリのための仕様20015パッケージング
SEMI G72.1-0997ボールグリッドアレイ設計ライブラリのための設計提案:292ピンプラスチックボールグリッドアレイ20015パッケージング
SEMI G72.2-0997ボールグリッドアレイ設計ライブラリのための設計提案:388ピンプラスチックボールグリッドアレイ20015パッケージング
SEMI G73-0997ワイヤボンディングに関するプル強度のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G74-0699300mmウェーハに関するテープフレームのための仕様20015パッケージング
SEMI G75-0698リードフレームテープの諸性質の標準的なテスト方法20015パッケージング
SEMI G75.1-0698リードフレームテープにおけるイオン不純物の測定のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G75.10-0698リードフレームテープの体積及び表面抵抗率の測定のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G75.11-0698リードフレームテープの誘電率及び誘電正接の測定のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G75.12-0698リードフレームテープの絶縁破壊強度の測定のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G75.13-0698リードフレームテープにおける漏れ電流の測定のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G75.2-0698リードフレームテープの接着強度の測定のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G75.3-0698リードフレームテープ上の保護フィルムの剥離強度の測定のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G75.4-0698リードフレームテープの吸収率の測定のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G75.5-0698リードフレームテープの加熱重量減少率の測定のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G75.6-0698リードフレームテープの加熱収縮率の測定のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G75.7-0698リードフレームテープ及び接着剤の熱分解温度の測定のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G75.8-0698リードフレームテープの熱膨張係数及びガラス転移温度の測定のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G75.9-0698リードフレームテープの引張り強度,伸び,及び引張弾性率の測定のためのテスト方法20015パッケージング
SEMI G76-0299TCP用ポリイミド接着テープの仕様20015パッケージング
SEMI G77-0699300mmウェーハ用フレームカセットの仕様20015パッケージング
SEMI G78-0699プロセス特定測定を利用する自動ウェーハプローブシステム比較試験法20015パッケージング
SEMI G79-0200総合的デジタルタイミング精度の仕様20015パッケージング
SEMI G80-0200自動試験装置の総合的デジタルタイミング精度を分析するための試験方法20015パッケージング
SEMI G81-1000マップデータ・アイテムの仕様20012-2製造装置(ソフトウェア)
SEMI G81-1000マップデータ・アイテムの仕様20015パッケージング
SEMI G82-0301後行程におけるフレームカセット用300mmロードポート暫定仕様20013製造装置(ハードウェア)
SEMI G82-0301後工程におけるフレームカセット用300mmロードポート暫定仕様20015パッケージング
SEMI G83-0301製品パッケージのバーコードマーキング仕様20015パッケージング
SEMI G83-0301製品パッケージのバーコードマーキング仕様20016トレーサビリティ
SEMI M1-93仕様 鏡面単結晶シリコンウエハ19931材料
SEMI M1-95鏡面単結晶シリコンの仕様19955材料
SEMI M1-1296鏡面単結晶シリコンウエハの仕様19975材料
SEMI M1-0701E鏡面単結晶シリコーンウェーハの仕様20016材料
SEMI M1.1-892インチ鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19931材料
SEMI M1.1-892インチ鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19955材料
SEMI M1.1-892インチ鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M1.1-89(Reapproved0299)2インチ鏡面単結晶シリコンウェハ(スタンダード)20016材料
SEMI M1.2-893インチ研磨単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19931材料
SEMI M1.2-893インチ研磨単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19955材料
SEMI M1.2-893インチ研磨単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M1.2-89(Reapproved0299)3インチ研磨単結晶シリコンウェハ(スタンダード)20016材料
SEMI M1.5-89100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み525μm) (スタンダード)19931材料
SEMI M1.5-89100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み525μm) (スタンダード)19955材料
SEMI M1.5-89100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み525μm) (スタンダード)19975材料
SEMI M1.5-89(Reapproved0699)100mm鏡面単結晶シリコンウェハ(厚み525μm)(スタンダード)20016材料
SEMI M1.6-89100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み625μm) (スタンダード)19931材料
SEMI M1.6-89100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み625μm) (スタンダード)19955材料
SEMI M1.6-89100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み625μm) (スタンダード)19975材料
SEMI M1.6-89(Reapproved0699)100mm鏡面単結晶シリコンウェハ(厚み625μm)(スタンダード)20016材料
SEMI M1.7-89125mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19931材料
SEMI M1.7-89125mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19955材料
SEMI M1.7-89125mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M1.7-89(Reapproved0699)125mm鏡面単結晶シリコンウェハ(スタンダード)20016材料
SEMI M1.8-89150mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19931材料
SEMI M1.8-89150mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19955材料
SEMI M1.8-89150mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M1.8-0699150mm鏡面単結晶シリコンウェーハ(スタンダード)20016材料
SEMI M1.9-91200mm研磨単結晶シリコンウエハ(ノッチ付) (スタンダード)19931材料
SEMI M1.9-91200mm研磨単結晶シリコンウエハ(ノッチ付) (スタンダード)19955材料
SEMI M1.9-91200mm研磨単結晶シリコンウエハ(ノッチ付) (スタンダード)19975材料
SEMI M1.9-0699200mm研磨単結晶シリコンウェハ(ノッチ付)(スタンダード)20016材料
SEMI M1.10-92200mm鏡面単結晶シリコンウエハ(オリフラ) (スタンダード)19931材料
SEMI M1.10-92200mm鏡面単結晶シリコンウエハ(オリフラ) (スタンダード)19955材料
SEMI M1.10-92200mm鏡面単結晶シリコンウエハ(オリフラ) (スタンダード)19975材料
SEMI M1.10-0699200mm鏡面単結晶シリコンウェーハ(オリフラ)(スタンダード)20016材料
SEMI M1.11-90第2オリフラのない100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み525μm) (スタンダード)19931材料
SEMI M1.11-90第2オリフラのない100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み525μm) (スタンダード)19955材料
SEMI M1.11-90第2オリフラのない100mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み525μm) (スタンダード)19975材料
SEMI M1.11-90(Reapproved0299)セカンダリオリフラのない100mm鏡面単結晶シリコンウェーハ(厚み525μm)(スタンダード)20016材料
SEMI M1.12-90第2オリフラのない125mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19931材料
SEMI M1.12-90第2オリフラのない125mm鏡面単結晶シリコンウエハ(スタンダード)19955材料
SEMI M1.12-90第2オリフラのない125mm鏡面単結晶シリコンウエハ (スタンダード)19975材料
SEMI M1.12-90(Reapproved0299)セカンダリオリフラのない125mm鏡面単結晶シリコンウェーハ(スタンダード)20016材料
SEMI M1.13-90第2オリフラのない150mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み625μm) (スタンダード)19931材料
SEMI M1.13-90第2オリフラのない150mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み625μm) (スタンダード)19955材料
SEMI M1.13-90第2オリフラのない150mm鏡面単結晶シリコンウエハ(厚み625μm) (スタンダード)19975材料
SEMI M1.13-0699セカンダリオリフラのない150mm鏡面単結晶シリコンウェーハ(厚み625μm)(スタンダード)20016材料
SEMI M1.14-92300mm鏡面単結晶シリコンウエハ(ノッチ付き) (スタンダード)19931材料
SEMI M1.14-95300~400mm鏡面単結晶シリコンウエハのガイドライン19955材料
SEMI M1.14-96350mmおよび400mm鏡面単結晶シリコンウエハのガイドライン19975材料
SEMI M1.14-96350mmおよび400mm鏡面単結晶シリコンウェーハのガイドライン20016材料
SEMI M1.15-1000300mm鏡面単結晶シリコンウェーハ(ノッチ)20016材料
SEMI M2-93仕様 シリコン・エピタキシャル・ウエハ19931材料
SEMI M2-94シリコン・エピタキシャル・ウエハの仕様19955材料
SEMI M2-1296シリコンエピタキシャルウエハの仕様19975材料
SEMI M2-0997シリコンエピタキシャルウェーハの仕様20016材料
SEMI M3-91単結晶サファイア基板(仕様)19931材料
SEMI M3-91単結晶サファイア基板(仕様)19955材料
SEMI M3-1296単結晶サファイア基板(仕様)19975材料
SEMI M3-1296単結晶サファイア基板(仕様)20016材料
SEMI M3.1-831.5インチ サファイア基板(スタンダード)19931材料
SEMI M3.2-912インチ サファイア基板(スタンダード)19931材料
SEMI M3.2-912インチ サファイア基板(スタンダード)19955材料
SEMI M3.2-912インチ サファイア基板(スタンダード)19975材料
SEMI M3.2-912インチ サファイア基板(スタンダード)20016材料
SEMI M3.3-832.25インチ サファイア基板(スタンダード)19931材料
SEMI M3.4-913インチ サファイア基板(スタンダード)19931材料
SEMI M3.4-913インチ サファイア基板(スタンダード)19955材料
SEMI M3.4-913インチ サファイア基板(スタンダード)19975材料
SEMI M3.4-913インチ サファイア基板(スタンダード)20016材料
SEMI M3.5-92100mm サファイア基板(スタンダード)19931材料
SEMI M3.5-92100mm サファイア基板(スタンダード)19955材料
SEMI M3.5-92100mm サファイア基板(スタンダード)19975材料
SEMI M3.5-92100mm サファイア基板(スタンダード)20016材料
SEMI M3.6-883インチ 再生サファイア基板(スタンダード)19931材料
SEMI M3.6-883インチ 再生サファイア基板(スタンダード)19955材料
SEMI M3.6-883インチ 再生サファイア基板(スタンダード)19975材料
SEMI M3.6-883インチ 再生サファイア基板(スタンダード)20016材料
SEMI M3.7-91125mm サファイア基板(スタンダード)19931材料
SEMI M3.7-91125mm サファイア基板(スタンダード)19955材料
SEMI M3.7-91125mm サファイア基板(スタンダード)19975材料
SEMI M3.7-91125mm サファイア基板(スタンダード)20016材料
SEMI M3.8-91150mm サファイア基板(スタンダード)19931材料
SEMI M3.8-91150mm サファイア基板(スタンダード)19955材料
SEMI M3.8-91150mm サファイア基板(スタンダード)19975材料
SEMI M3.8-91150mm サファイア基板(スタンダード)20016材料
SEMI M4-88SOSエピタキシャル・ウエハ(仕様)19931材料
SEMI M4-88SOSエピタキシャル・ウエハ(仕様)19955材料
SEMI M4-1296SOSエピタキシャルウエハ(仕様)19975材料
SEMI M4-1296SOSエピタキシャルウェーハ(仕様)20016材料
SEMI M6-85太陽電池用シリコンウエハ(仕様)19931材料
SEMI M6-85太陽電池用シリコンウエハ(仕様)19955材料
SEMI M6-85太陽電池用シリコンウエハ(仕様)19975材料
SEMI M6-1000太陽光電池用シリコンウェーハの仕様20016材料
SEMI M6.1-85100mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(四角) (スタンダード)19931材料
SEMI M6.1-85100mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(四角) (スタンダード)19955材料
SEMI M6.1-85100mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(四角) (スタンダード)19975材料
SEMI M6.2-853インチ多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード)19931材料
SEMI M6.2-853インチ多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード)19955材料
SEMI M6.2-853インチ多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード)19975材料
SEMI M6.3-85100mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード)19931材料
SEMI M6.3-85100mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード)19955材料
SEMI M6.3-85100mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード)19975材料
SEMI M6.4-85125mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード)19931材料
SEMI M6.4-85125mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード)19955材料
SEMI M6.4-85125mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード)19975材料
SEMI M6.5-85150mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード)19931材料
SEMI M6.5-85150mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード)19955材料
SEMI M6.5-85150mm多結晶太陽電池級シリコンスライス(スタンダード)19975材料
SEMI M7-82鏡面単結晶ガドリニウム・ガリウム ガーネットウエハ(仕様)19931材料
SEMI M7-82鏡面単結晶ガドリニウム・ガリウム ガーネットウエハ(仕様)19955材料
SEMI M7.1-822インチ研磨単結晶ガドリニウム・ガリウム・ガーネットスライス(スタンダード)19931材料
SEMI M7.1-822インチ研磨単結晶ガドリニウム・ガリウム・ガーネットスライス(スタンダード)19955材料
SEMI M7.2-823インチ研磨単結晶ガドリニウム・ガリウム・ガーネットスライス(スタンダード)19931材料
SEMI M7.2-823インチ研磨単結晶ガドリニウム・ガリウム・ガーネットスライス(スタンダード)19955材料
SEMI M7.3-82100mm研磨単結晶ガドリニウム・ガリウム・ガーネットスライス(厚み510μm) (スタンダード)19931材料
SEMI M7.3-82100mm研磨単結晶ガドリニウム・・ガリウム・ガーネットスライス(厚み510μm) (スタンダード)19955材料
SEMI M8-84仕様 鏡面単結晶シリコンテストウエハ19931材料
SEMI M8-93仕様 鏡面単結晶シリコンテストウエハ19955材料
SEMI M8-1296仕様 鏡面単結晶シリコンテストウエハ19975材料
SEMI M8-0301鏡面単結晶シリコンテストウェーハの仕様20016材料
SEMI M8.1-93標準 2インチ鏡面単結晶シリコンテストウエハ19931材料
SEMI M8.1-93標準 2インチ鏡面単結晶シリコンテストウエハ19955材料
SEMI M8.1-932インチ鏡面単結晶シリコンテストウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M8.2-93標準 3インチ鏡面単結晶シリコンテストウエハ19931材料
SEMI M8.2-93標準 3インチ鏡面単結晶シリコンテストウエハ19955材料
SEMI M8.2-933インチ鏡面単結晶シリコンテストウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M8.3-93標準 100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(525μm厚さ)19931材料
SEMI M8.3-93標準 100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(525μm厚さ)19955材料
SEMI M8.3-93100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(525μm厚さ) (スタンダード)19975材料
SEMI M8.4-93標準 100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(625μm厚さ)19931材料
SEMI M8.4-93標準 100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(625μm厚さ)19955材料
SEMI M8.4-93100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(625μm厚さ) (スタンダード)19975材料
SEMI M8.5-93標準 125mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ19931材料
SEMI M8.5-93標準 125mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ19955材料
SEMI M8.5-93125mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M8.6-93標準 150mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ19931材料
SEMI M8.6-93標準 150mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ19955材料
SEMI M8.6-93150mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M8.7-93標準 200mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(ノッチ付き)19931材料
SEMI M8.7-93標準 200mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(ノッチ付き)19955材料
SEMI M8.7-93200mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(ノッチ付き) (スタンダード)19975材料
SEMI M8.8-93標準 第2オリフラ無し100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(525μm厚さ)19931材料
SEMI M8.8-93標準 第2オリフラ無し100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(525μm厚さ)19955材料
SEMI M8.8-93第2オリフラ無し100mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(525μm厚さ) (スタンダード)19975材料
SEMI M8.9-93標準 第2オリフラ無し125mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ19931材料
SEMI M8.9-93標準 第2オリフラ無し125mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ19955材料
SEMI M8.9-93第2オリフラ無し125mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M8.10-93標準 第2オリフラ無し150mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(625μm厚さ)19931材料
SEMI M8.10-93標準 第2オリフラ無し150mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(625μm厚さ)19955材料
SEMI M8.10-93第2オリフラ無し150mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(625μm厚さ) (スタンダード)19975材料
SEMI M8.11-93標準 200mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(オリフラ付き)19931材料
SEMI M8.11-93標準 200mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(オリフラ付き)19955材料
SEMI M8.11-93200mm鏡面単結晶シリコンテストウエハ(オリフラ付き) (スタンダード)19975材料
SEMI M8.12-0996300mm鏡面単結晶シリコンテストウエハとモニタウエハ(ノッチ付き) (スタンダード)19975材料
SEMI M9-90鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(仕様)19931材料
SEMI M9-95鏡面単結晶ガリウム砒素スライスの仕様19955材料
SEMI M9-1296鏡面単結晶ガリウム砒素スライスの仕様19975材料
SEMI M9-0999鏡面単結晶ガリウムヒ素スライスの仕様20016材料
SEMI M9.1-89IC回路用円形直径2インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19931材料
SEMI M9.1-89IC回路用円形直径2インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19955材料
SEMI M9.1-96電子デバイス用直径50.8mm円形鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M9.1-96電子デバイス用直径50.8mm円形鏡面単結晶ガリウムヒ素ウェーハ(スタンダード)20016材料
SEMI M9.2-89IC回路用円形直径3インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19931材料
SEMI M9.2-89IC回路用円形直径3インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19955材料
SEMI M9.2-96電子デバイス用直径76.2mm円形鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M9.2-96電子デバイス用直径76.2mm円形鏡面単結晶ガリウムヒ素ウェーハ(スタンダード)20016材料
SEMI M9.3-89オプトエレクトリック用円形直径2インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19931材料
SEMI M9.3-89オプトエレクトリック用円形直径2インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19955材料
SEMI M9.3-89オプトエレクトリック用円形直径2インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M9.3-89オプトエレクトリック用円形直径2インチ鏡面単結晶ガリウムヒ素ウェーハ(スタンダード)20016材料
SEMI M9.4-89集積回路用円形直径3インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19931材料
SEMI M9.4-89オプトエレクトリック用円形直径3インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19955材料
SEMI M9.4-89オプトエレクトリック用円形直径3インチ鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M9.4-89オプトエレクトリック用円形直径3インチ鏡面単結晶ガリウムヒ素ウェーハ(スタンダード)20016材料
SEMI M9.5-90集積回路用円形直径100mm鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19931材料
SEMI M9.5-90集積回路用円形直径100mm鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19955材料
SEMI M9.5-96電子デバイス用直径100mm円形鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハ(スタンダード)19975材料
SEMI M9.5-96電子デバイス用直径100mm円形鏡面単結晶ガリウムヒ素ウェーハ(スタンダード)20016材料
SEMI M9.6-95円形125mm径鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハの規格19955材料
SEMI M9.6-95円形125mm径鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハの規格19975材料
SEMI M9.6-95円形125mm径鏡面単結晶ガリウムヒ素ウェーハの規格20016材料
SEMI M9.7-95円形150mm径鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハの規格19955材料
SEMI M9.7-95円形150mm径鏡面単結晶ガリウム砒素ウエハの規格19975材料
SEMI M9.7-0200円形150mm径単結晶鏡面ガリウムヒ素ウェーハ(V字型ノッチ付き)の仕様20016材料
SEMI M10-89ガリウム砒素ウエハに見られる構造及び特徴の確認のための標準名称19931材料
SEMI M10-89ガリウム砒素ウエハに見られる構造及び特徴の確認のための標準名称19955材料
SEMI M10-1296ガリウム砒素ウエハに見られる構造及び特徴の確認のための標準名称19975材料
SEMI M10-1296ガリウムヒ素ウェーハに見られる構造及び特徴の確認のための標準名称20016材料
SEMI M11-93仕様 最新技術に応用するシリコンエピタキシャルウエハ19931材料
SEMI M11-95最新技術に応用するシリコンエピタキシャルウエハの仕様19955材料
SEMI M11-0697集積回路(IC)に応用するシリコンエピタキシャルウエハの仕様19975材料
SEMI M11-0301集積回路(IC)用のシリコンエピタキシャルウェーハの仕様20016材料
SEMI M12-92ウエハ表面の連続英数字マーキング(仕様)19931材料
SEMI M12-92ウエハ表面の連続英数字マーキング(仕様)19933トレーサビリティ
SEMI M12-92ウエハ表面の連続英数字マーキング(仕様)19955材料
SEMI M12-92ウエハ表面の連続英数字なマーキング(仕様)19975材料
SEMI M12-0998Eウェーハ表面の連続英数字マーキング(仕様)20016材料
SEMI M12-0998Eウェーハ表面の連続英数字マーキング(仕様)20016トレーサビリティ
SEMI M13-88シリコンウエハの英数字マーキング(仕様)19931材料
SEMI M13-88シリコンウエハの英数字マーキング19933トレーサビリティ
SEMI M13-88シリコンウエハの英数字マーキング(仕様)19955材料
SEMI M13-88シリコンウエハの英数字のマーキング(仕様)19975材料
SEMI M13-0998Eシリコンウェーハの英数字のマーキング(仕様)20016材料
SEMI M13-0998Eシリコンウェーハの英数字のマーキング(仕様)20016トレーサビリティ
SEMI M14-89半導絶縁ガリウム砒素単結晶のためのイオン注入及び活性化プロセス(仕様)19931材料
SEMI M14-89半導絶縁ガリウム砒素単結晶のためのイオン注入及び活性化プロセス(仕様)19955材料
SEMI M14-89半絶縁ガリウム砒素単結晶のためのイオン注入及び活性化プロセス(仕様)19975材料
SEMI M14-89半絶縁ガリウムヒ素単結晶のためのイオン注入及び活性化プロセス(仕様)20016材料
SEMI M15-89鏡面ガリウム砒素ウエハ用の鏡面ウエハ欠陥限度表19931材料
SEMI M15-89鏡面ガリウム砒素ウエハ用の鏡面ウエハ欠陥限度表19955材料
SEMI M15-89鏡面ガリウム砒素ウエハ用の鏡面ウエハ欠陥限度表19975材料
SEMI M15-0298半絶縁ガリウムヒ素ウェーハ用の鏡面ウェーハの許容表面欠陥表20016材料
SEMI M16-89多結晶シリコン(仕様)19931材料
SEMI M16-89多結晶シリコン(仕様)19955材料
SEMI M16-1296多結晶シリコン(仕様)19975材料
SEMI M16-1296多結晶シリコン(仕様)20016材料
SEMI M16.1-89ナゲット型多結晶シリコン19931材料
SEMI M16.1-89ナゲット型多結晶シリコン19955材料
SEMI M16.1-89ナゲット型多結晶シリコン19975材料
SEMI M16.1-89ナゲット型多結晶シリコン20016材料
SEMI M17-90一般的なウエハグリッド19931材料
SEMI M17-90一般的なウエハグリッド19955材料
SEMI M17-90一般的なウエハグリッド19975材料
SEMI M17-0998一般的なウェーハグリッド20016材料
SEMI M18-93フォーマット 注文書記入用シリコンウエハ仕様様式19931材料
SEMI M18-95注文書記入用シリコンウエハ仕様様式のフォーマット19955材料
SEMI M18-96注文書記入用シリコンウエハ仕様様式のフォーマット19975材料
SEMI M18-0701注文書記入用シリコンウェーハ仕様様式のフォーマット20016材料
SEMI M19-91バルク・ガリウム砒素単結晶基板の電気的性質(仕様)19931材料
SEMI M19-91バルク・ガリウム砒素単結晶基板の電気的性質(仕様)19955材料
SEMI M19-91バルク・ガリウム砒素単結晶基板の電気的性質(仕様)19975材料
SEMI M19-91バルク・ガリウムヒ素単結晶基板の電気的性質(仕様)20016材料
SEMI M20-92ウエハ座標システムの確立(仕様)19931材料
SEMI M20-92ウエハ座標システムの確立(仕様)19955材料
SEMI M20-92ウエハ座標システムの確立(仕様)19975材料
SEMI M20-0998ウェーハ座標システムの確立(仕様)20016材料
SEMI M21-92カーテシアン(デカルト)アレイにおける方形エレメントへの割当アドレス(仕様)19931材料
SEMI M21-92カーテシアン(デカルト)アレイにおける方形エレメントへの割当アドレス(仕様)19955材料
SEMI M21-92カーテシアン(デカルト)アレイにおける方形エレメントへの割当アドレス(仕様)19975材料
SEMI M21-0998カーテシアン(デカルト)アレイにおける方形エレメントへの割当アドレス(仕様)20016材料
SEMI M22-92誘電体により絶縁された(DI)ウエハ(仕様)19931材料
SEMI M22-92誘電体により絶縁された(DI)ウエハ(仕様)19955材料
SEMI M22-1296誘電体により絶縁された(DI)ウエハ(仕様)19975材料
SEMI M22-1296誘電体により絶縁された(DI)ウェーハ(仕様)20016材料
SEMI M23-93仕様 鏡面単結晶インジウムウエハ19931材料
SEMI M23-93仕様 鏡面単結晶燐化インジウムウエハ19955材料
SEMI M23-1296仕様 鏡面単結晶燐化インジウムウエハ19975材料
SEMI M23-1000鏡面単結晶燐化インジウムリンウェーハ(仕様)20016材料
SEMI M23.1-93標準 2インチ鏡面単結晶燐化インジウムウエハ19931材料
SEMI M23.1-93標準 2インチ鏡面単結晶燐化インジウムウエハ19955材料
SEMI M23.1-93標準 2インチ鏡面単結晶燐化インジウムウエハ19975材料
SEMI M23.1-060050mm鏡面単結晶インジウムリンウェーハの仕様20016材料
SEMI M23.2-93標準 3インチ鏡面単結晶燐化インジウムウエハ19931材料
SEMI M23.2-93標準 3インチ鏡面単結晶燐化インジウムウエハ19955材料
SEMI M23.2-93標準 3インチ鏡面単結晶隣化インジウムウエハ19975材料
SEMI M23.2-10003インチ(76.2mm)鏡面単結晶燐化インジウムウェーハのスタンダード20016材料
SEMI M23.3-94長方形鏡面単結晶インジウムリンウエハの規格19955材料
SEMI M23.3-94長方形鏡面単結晶インジウムリンウエハの規格19975材料
SEMI M23.3-0600長方形鏡面単結晶インジウムリンウェーハの規格20016材料
SEMI M23.4-0999電子デバイスならびにオプトエレクトロニクス用途100mm径鏡面単結晶インジウムリンウェーハ仕様(ドーブテイルタイプ)20016材料
SEMI M23.5-1000電子デバイスならびにオプトエレクトロニクス用途100mm径鏡面単結晶インジウムリンウェーハ仕様(V-GROOVEオプション)20016材料
SEMI M24-94鏡面単結晶プレミアムシリコンウエハの仕様19955材料
SEMI M24-1296鏡面単結晶プレミアムシリコンウエハの仕様19975材料
SEMI M24-0301E鏡面単結晶プレミアムシリコンウェーハの仕様20016材料
SEMI M25-95ポリスチレンラテックス球の径についてのライトポイントデフェクトウエハ検査システム校正用シリコンウエハの仕様19955材料
SEMI M25-95ポリスチレンラテックス球の径についてのライトポイントデフェクトウエハ検査システム校正用シリコンウエハの仕様19975材料
SEMI M25-95ポリスチレンラテックス球の径についてのライトポイントデフェクトウェーハ検査システム校正用シリコンウェーハの仕様20016材料
SEMI M26-95ウエハの運搬のために使用されるウエハボックスおよびカセットの再利用ガイド19955材料
SEMI M26-96ウエハの運搬に使用されるウエハボックスおよびカセットの再利用ガイド19975材料
SEMI M26-96ウェーハの運搬に使用されるウェーハボックスおよびカセットの再利用ガイド20016材料
SEMI M27-97テスト装置の測定精度対許容範囲(P/T)比の決定法19975材料
SEMI M27-96テスト装置の測定精度対許容範囲(P/T)比の決定法20016材料
SEMI M28-96300mm開発用鏡面単結晶シリコンウエハの仕様19975材料
SEMI M28-0997(撤回1000)300mm開発用単結晶シリコンウェーハ仕様20016材料
SEMI M29-1296300mmシッピングボックスの仕様19975材料
SEMI M29-1296300mmシッピングボックスの仕様20016材料
SEMI M30-0997フーリエ変換赤外吸収分光法によるGaAs中の置換原子炭素濃度に対する標準テスト方法20016材料
SEMI M31-0999300mmウェーハの搬送および出荷に使用されるフロントオープニング・シッピングボックスの機械仕様(暫定仕様)20013製造装置(ハードウェア)
SEMI M31-0999300mmウェーハの搬送および出荷に使用されるフロントオープニング・シッピングボックスの機械仕様(暫定仕様)20016材料
SEMI M32-0998統計的仕様への指針20016材料
SEMI M33-0998シリコンウェーハ表面汚染残留物の全反射X線蛍光分光法(TXRF)による測定方法20016材料
SEMI M34-0299SIMOXウェーハを規定するための指針20016材料
SEMI M35-0299E自動検査により検出されるシリコンウェーハ表面特性の仕様を開発するための指針20016材料
SEMI M36-0699低転位密度GaAs基板のエッチピット密度(EPD)測定方法20016材料
SEMI M37-0699低転位密度Inp基板のエッチピット密度(EPD)測定方法20016材料
SEMI M38-0301鏡面リクレイムシリコンウェーハ仕様20016材料
SEMI M39-0999半絶縁GaAs単結晶の抵抗率及びホール係数を測定しホール移動度を決定する方法20016材料
SEMI M40-0200シリコンウェーハ表面の表面ラフネス測定のガイド20016材料
SEMI M41-0701電源デバイス/IC用絶縁体上シリコン(SOI)の仕様20016材料
SEMI M42-1000化合物半導体エピタキシャルウェーハの仕様20016材料
SEMI M43-0301ウェーハナノポトグラフィを報告するためのガイド20016材料
SEMI M44-0301Eシリコン中の酸素の換算係数ガイド20016材料
SEMI M45-0301300mmウェーハシッピングシステムに関する暫定スタンダード20016材料
SEMI P1-92ハードサーフェス・フォトマスク用基板19933マイクロパターニング
SEMI P1-92ハードサーフェス・フォトマスク用基板19954マイクロリソグラフィ
SEMI P1-92ハードサーフェス・フォトマスク用基板19974マイクロリソグラフィ
SEMI P1-92E(Reapproved0299)ハードサーフェス・フォトマスク用基板20015マイクロリソグラフィ
SEMI P2-86ハードサーフェス・フォトマスク用クロムブランク19933マイクロパターニング
SEMI P2-86ハードサーフェス・フォトマスク用クロムブランク19954マイクロリソグラフィ
SEMI P2-86ハードサーフェス・フォトマスク用クロムブランク19974マイクロリソグラフィ
SEMI P2-0298ハードサーフェス・フォトマスク用クロムブランク20015マイクロリソグラフィ
SEMI P3-90レジスト付きクロムブランク19933マイクロパターニング
SEMI P3-90レジスト付きクロムブランク19954マイクロリソグラフィ
SEMI P3-90レジスト付きクロムブランク19974マイクロリソグラフィ
SEMI P3-0298レジスト付きクロムブランク20015マイクロリソグラフィ
SEMI P4-92円形フォトマスク石英基板19933マイクロパターニング
SEMI P4-92円形フォトマスク石英基板19954マイクロリソグラフィ
SEMI P4-92円形フォトマスク石英基板19974マイクロリソグラフィ
SEMI P4-92(Reapproved0299)円形フォトマスク石英基板20015マイクロリソグラフィ
SEMI P5-92ペリクル19933マイクロパターニング
SEMI P5-94ペリクル(仕様)19954マイクロリソグラフィ
SEMI P5-94ペリクル(仕様)19974マイクロリソグラフィ
SEMI P5-94ペリクル(仕様)20015マイクロリソグラフィ
SEMI P5.1-92多色(広域帯)1:1ステッパー及びスキャニングミラープロジェクションシステムに使用されるペリクル19933マイクロパターニング
SEMI P5.1-94多色露光システムに使用されるペリクル(スタンダード)19954マイクロリソグラフィ
SEMI P5.1-94多色露光システムに使用されるペリクル(スタンダード)19974マイクロリソグラフィ
SEMI P5.1-94多色露光システムに使用されるペリクル(スタンダード)20015マイクロリソグラフィ
SEMI P5.2-92“g”線 露光,縮小ステッパー用ペリクル19933マイクロパターニング
SEMI P5.2-94G線,H線およびI線露光システムに使用されるペリクル(スタンダード)19954マイクロリソグラフィ
SEMI P5.2-94G線,H線およびI線露光システムに使用されるペリクル(スタンダード)19974マイクロリソグラフィ
SEMI P5.2-94G線,H線およびI線露光システムに使用されるペリクル(スタンダード)20015マイクロリソグラフィ
SEMI P6-88フォトマスク用レジストレーションマーク19933マイクロパターニング
SEMI P6-88フォトマスク用レジストレーションマーク19954マイクロリソグラフィ
SEMI P6-88フォトマスク用レジストレーションマーク19974マイクロリソグラフィ
SEMI P6-88フォトマスク用レジストレーションマーク20015マイクロリソグラフィ
SEMI P7-89粘性決定方法,方法A-動粘度19933マイクロパターニング
SEMI P7-89粘性決定方法,方法A-動粘度19954マイクロリソグラフィ
SEMI P7-89粘性決定方法,方法A-動粘度19974マイクロリソグラフィ
SEMI P7-0997粘性決定方法,方法A-動粘度20015マイクロリソグラフィ
SEMI P8-90フォトレジスト中の水分の測定方法19933マイクロパターニング
SEMI P8-90フォトレジスト中の水分の測定方法19954マイクロリソグラフィ
SEMI P8-90フォトレジスト中の水分の測定方法19974マイクロリソグラフィ
SEMI P8-0997フォトレジスト中の水分の測定方法20015マイクロリソグラフィ
SEMI P9-89マイクロエレクトロニクス用レジストの機能的なテスト(ガイドライン)19933マイクロパターニング
SEMI P9-89マイクロエレクトロニクス用レジストの機能的なテスト(ガイドライン)19954マイクロリソグラフィ
SEMI P9-89マイクロエレクトロニクス用レジストの機能的なテスト(ガイドライン)19974マイクロリソグラフィ
SEMI P9-0298マイクロエレクトロニクス用レジストの機能的なテスト(ガイドライン)20015マイクロリソグラフィ
SEMI P10-93フォトマスクオーダー入力用のデータ構造19933マイクロパターニング
SEMI P10-93フォトマスクオーダー入力用のデータ構造19954マイクロリソグラフィ
SEMI P10-96フォトマスクオーダー入力用のデータ構造19974マイクロリソグラフィ
SEMI P10-0301フォトマスクオーダーのデータ構造の仕様20015マイクロリソグラフィ
SEMI P11-91アルカリ現像溶液に対する全規定度の測定19933マイクロパターニング
SEMI P11-91アルカリ現像溶液に対する全規定度の測定19954マイクロリソグラフィ
SEMI P11-91アルカリ現像溶液に対する全規定度の測定19974マイクロリソグラフィ
SEMI P11-0997アルカリ現像溶液に対する全規定度の測定20015マイクロリソグラフィ
SEMI P12-91誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト中の鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定19933マイクロパターニング
SEMI P12-91誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト中の鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定19954マイクロリソグラフィ
SEMI P12-91誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト中の鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定19974マイクロリソグラフィ
SEMI P12-0997誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト中の鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定20015マイクロリソグラフィ
SEMI P13-91原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中におけるナトリウムとカリウムの測定19933マイクロパターニング
SEMI P13-91原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中におけるナトリウムとカリウムの測定19954マイクロリソグラフィ
SEMI P13-91原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中におけるナトリウムとカリウムの測定19974マイクロリソグラフィ
SEMI P14-91黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中の錫の測定19933マイクロパターニング
SEMI P14-91黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中の錫の測定19954マイクロリソグラフィ
SEMI P14-91黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト中の錫の測定19974マイクロリソグラフィ
SEMI P15-92原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中のナトリウムとカリウムの測定19933マイクロパターニング
SEMI P15-92原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中のナトリウムとカリウムの測定19954マイクロリソグラフィ
SEMI P15-92原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中のナトリウムとカリウムの測定19974マイクロリソグラフィ
SEMI P16-92黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中の錫の測定19933マイクロパターニング
SEMI P16-92黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中の錫の測定19954マイクロリソグラフィ
SEMI P16-92黒鉛炉原子吸光分光法によるポジティブフォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液中の錫の測定19974マイクロリソグラフィ
SEMI P17-92誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液における鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定19933マイクロパターニング
SEMI P17-92誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液における鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定19954マイクロリソグラフィ
SEMI P17-92誘導結合プラズマ発光分光法(ICP)によるポジティブ・フォトレジスト・メタルイオンフリー(MIF)現像液における鉄,亜鉛,カルシウム,マグネシウム,銅,ホウ素,アルミニウム,クロム,マンガン,及びニッケルの測定19974マイクロリソグラフィ
SEMI P18-92ウエハステッパーのオーバーレイ能力19933マイクロパターニング
SEMI P18-92ウエハステッパーのオーバーレイ能力19954マイクロリソグラフィ
SEMI P18-92ウエハステッパーのオーバーレイ能力19974マイクロリソグラフィ
SEMI P19-92集積回路製造用メトロロジパターンセル19933マイクロパターニング
SEMI P19-92集積回路製造用メトロロジパターンセル19954マイクロリソグラフィ
SEMI P19-92集積回路製造用メトロロジパターンセル19974マイクロリソグラフィ
SEMI P20-92EBレジストパラメータのカタログ公表(ガイドライン)19933マイクロパターニング
SEMI P20-92EBレジストパラメータのカタログ公表(ガイドライン)19954マイクロリソグラフィ
SEMI P20-92EB レジストパラメータのカタログ公表(ガイドライン)19974マイクロリソグラフィ
SEMI P21-92マスク描画装置の精度表示(ガイドライン)19933マイクロパターニング
SEMI P21-92マスク描画装置の精度表示(ガイドライン)19954マイクロリソグラフィ
SEMI P21-92マスク描画装置の精度表示(ガイドライン)19974マイクロリソグラフィ
SEMI P22-93フォトマスク欠陥の分類とサイズ定義についてのガイドライン19933マイクロパターニング
SEMI P22-93フォトマスク欠陥の分類とサイズ定義についてのガイドライン19954マイクロリソグラフィ
SEMI P22-93フォトマスク欠陥の分類とサイズ定義についてのガイドライン19974マイクロリソグラフィ
SEMI P23-93プログラム欠陥マスク及びそれによるマスク欠陥検査装置の感度評価手順についてのガイドライン19933マイクロパターニング
SEMI P23-93プログラム欠陥マスク及びそれによるマスク欠陥検査装置の感度評価手順についてのガイドライン19954マイクロリソグラフィ
SEMI P23-93プログラム欠陥マスク及びそれによるマスク欠陥検査装置の感度評価手順ついてのガイドライン19974マイクロリソグラフィ
SEMI P24-94CD測長手順19954マイクロリソグラフィ
SEMI P24-94CD測長手順19974マイクロリソグラフィ
SEMI P25-94焦点深度および最適焦点深度(仕様)19954マイクロリソグラフィ
SEMI P25-94焦点深度および最適焦点深度(仕様)19974マイクロリソグラフィ
SEMI P26-96フォトレジストの感度測定用パラメータチェクリスト19974マイクロリソグラフィ
SEMI P27-96基板上のレジスト膜厚の測定用パラメータチェックリスト19974マイクロリソグラフィ
SEMI P28-96仕様 集積回路製造用オーバーレイ計測テストパターン19974マイクロリソグラフィ
SEMI S1-90視覚警報標識に関する安全ガイドライン19932設備・安全性
SEMI S1-90視覚警報標識に関する安全ガイドライン19953設備及び安全性
SEMI S1-90視覚警報標識に関する安全ガイドライン19973設備及び安全性
SEMI S1-0701装置安全ラベルの安全ガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S2-93半導体製造装置安全性ガイドライン19932設備・安全性
SEMI S2-93半導体製造装置安全性ガイドライン19953設備及び安全性
SEMI S2-93A半導体製造装置安全性ガイドライン19973設備及び安全性
SEMI S2-0200E半導体製造装置の環境,健康,安全に関するガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S2-93A半導体製造装置安全性ガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S3-91熱化学槽の安全性に関するガイドライン19932設備・安全性
SEMI S3-91熱化学槽の安全性に関するガイドライン19953設備及び安全性
SEMI S3-91熱化学槽の安全性に関するガイドライン19973設備及び安全性
SEMI S3-91熱化学槽の安全性に関するガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S4-92キャビネット収納ガスシリンダーの隔離/分離に関する安全性ガイドライン19932設備・安全性
SEMI S4-92キャビネット収納ガスシリンダーの隔離/分離に関する安全性ガイドライン19953設備及び安全性
SEMI S4-92キャビネット収納ガスシリンダーの隔離/分離に関する安全性ガイドライン19973設備及び安全性
SEMI S4-92キャビネット収納ガスシリンダーの隔離/分離に関する安全性ガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S5-93流量制限デバイスの安全指針19932設備・安全性
SEMI S5-93流量制限デバイスの安全指針19953設備及び安全性
SEMI S5-93流量制限デバイスの安全指針19973設備及び安全性
SEMI S5-93流量制限デバイスの安全ガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S6-93換気のための安全指針19932設備・安全性
SEMI S6-93換気のための安全指針19953設備及び安全性
SEMI S6-93換気のための安全指針19973設備及び安全性
SEMI S6-93換気のための安全ガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S7-94第三者機関による装置の環境,健康,および安全性評価に対する安全性ガイドライン19953設備及び安全性
SEMI S7-96半導体製造装置の環境,健康,及び安全性(ESH)評価の安全性ガイドライン19973設備及び安全性
SEMI S7-96半導体製造装置の環境,健康,及び安全性(ESH)評価の安全性ガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S8-95半導体製造装置の人間工学/ヒューマンファクターズに基づくエンジニアリングに対する安全性ガイドライン19953設備及び安全性
SEMI S8-95半導体製造装置の人間工学/人的要因に基づくエンジニアリングに耐する安全性ガイドライン19973設備及び安全性
SEMI S8-0701半導体製造装置の人間工学エンジニアリングに対する安全ガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S9-95半導体製造装置の電気的試験方法19953設備及び安全性
SEMI S9-95半導体製造装置の電気的試験方法19973設備及び安全性
SEMI S9-95半導体製造装置の電気的試験方法20014設備及び安全性
SEMI S10-1296危険性査定のための安全性ガイドライン19973設備及び安全性
SEMI S10-1296リスク査定のための安全ガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S11-1296半導体製造装置のミニエンバイロメントに関する環境,安全性,および健康についてのガイドライン19973設備及び安全性
SEMI S11-1296半導体製造装置のミニエンバイロメントに関する環境,安全性,および健康についてのガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S12-0298装置の汚染除去に対するガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S13-0298半導体製造装置の操作及び保守マニュアルの安全性ガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S14-0200E半導体製造装置に対する火災リスクの評価と軽減のための安全ガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S15-0200毒性及び引火性ガスの検知システム評価のための安全ガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S16-0600半導体製造装置の廃棄に対する環境,健康,及び安全ガイドライン20014設備及び安全性
SEMI S17-0701無人搬送台車(UTV)システムの安全ガイドライン20014設備及び安全性
SEMI T1-93シリコンウエハの裏面にバーコードをマーキングする場合の仕様19933トレーサビリティ
SEMI T1-95シリコンウエハの裏面にバーコードをマーキングする場合の仕様19955トレーサビリティ
SEMI T1-95シリコンウエハの裏面にバーコードをマーキングする場合の仕様19975トレーサビリティ
SEMI T1-95シリコンウェーハの裏面にバーコードをマーキングする場合の仕様20016トレーサビリティ
SEMI T2-93ウエハに2次元のドットマトリックスコードをマーキングする場合の仕様19933トレーサビリティ
SEMI T2-95ウエハに2次元のドットマトリックスコードをマーキングする場合の仕様19955トレーサビリティ
SEMI T2-95ウエハに2次元のドットマトリックスコードをマーキングする場合の仕様19975トレーサビリティ
SEMI T2-0298Eウェーハ表面への2次元マトリクスコードシンボルのマーキング20016トレーサビリティ
SEMI T3-95ウエハボックスラベルの仕様19955トレーサビリティ
SEMI T3-0697ウエハボックスラベルの仕様19975トレーサビリティ
SEMI T3-0697Eウェーハボックスラベルの仕様20016トレーサビリティ
SEMI T4-95150mmおよび200mmPOD識別寸法の仕様19955トレーサビリティ
SEMI T4-95150mmおよび200mmPOD識別寸法の仕様19975トレーサビリティ
SEMI T4-0301150mmおよび200mmPOD識別寸法の仕様20016トレーサビリティ
SEMI T5-96円形ガリウム砒素ウエハの英数字マーキング仕様19975トレーサビリティ
SEMI T5-96E円形ガリウムヒ素ウェーハの英数字マーキング仕様20016トレーサビリティ
SEMI T6-0697電子的データ交換(EDI)による試験結果報告の手順と書式19975トレーサビリティ
SEMI T6-0697E電子的データ交換(EDI)による試験結果報告の手順と書式20016トレーサビリティ
SEMI T7-0997E2次元マトリクスコードシンボルの両面研磨ウェーハマーキング20016トレーサビリティ
SEMI T8-0698EFPD ガラス基板に二次元のマトリクスコードシンボルをマーキングする場合の仕様20016トレーサビリティ
SEMI T8-0698EFPDガラス基板に二次元のマトリクスコードシンボルをマーキングする場合の仕様20016FPD
SEMI T9-0200E2次元データマトリクスコードシンボルを使用した金属製リードフレームストリップのマーキングに関する仕様20015パッケージング
SEMI T9-0200E2次元データマトリクスコードシンボルを使用した金属製リードフレームストリップのマーキングに関する仕様20016トレーサビリティ
SEMI T10-07012次元データマトリクス直接マーク品質を評価するテスト方法20016トレーサビリティ